Транзистор 2SK3561

Транзистор 2SK3561

Артикул: 304862

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 28 nC

Время нарастания (tr): 26 ns

Выходная емкость (Cd): 110 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm

7,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304862

Просмотренные товары

Транзистор 2SK3596
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3596

304864
17,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 270 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 17 ns Выходная емкость (Cd): 260 pf...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор APM9932C so8
Полевые транзисторы

Транзистор APM9932C so8

293067
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9(6) A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds):...
Транзистор 2SJ174
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ174

304655
27,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 125 ns Выходная емкость (Cd): 990 pf...
Транзистор IPP60R190C6 to220
Полевые транзисторы

Транзистор IPP60R190C6 to220

293262
22,80 BYN
Наименование прибора: IPP60R190C6 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 151 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20.2 A Общий заряд затвора (Qg): 58 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.19 Ohm Тип корпуса: TO220
Транзистор IRGB4062D
Полевые транзисторы

Транзистор IRGB4062D

276512
17,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.95V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 48A TO220AB
Транзистор 2SK1081
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1081

304696
17,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор FDS4488 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4488 so8

293107
7,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 160
Транзистор FDS4559
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4559

276329
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.5 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 12.5 nC Сопротивление сток-исток...
Транзистор 2SK1953
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1953

304755
15,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 12 nC Время нарастания (tr): 4 ns...
Транзистор H18NM80 to247
Полевые транзисторы

Транзистор H18NM80 to247

293175
26,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.