Транзистор 8N50

Транзистор 8N50

Артикул: 276105

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 38 ns

Выходная емкость (Cd): 115 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.77 Ohm

5,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 125 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V

Maximum Drain Current |Id|: 8 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Rise Time (tr): 38 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 115 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.77 Ohm

276105
Новый товар

Просмотренные товары

Стабилитрон КС551А мет
Стабилитроны

Стабилитрон КС551А мет

260295
1,00 BYN
Номинальное напряжение стабилизации: 51 В при Iст 1,5 мА;• Разброс напряжения стабилизации: 48... 54 В;• Температурный коэффициент напряжения стабилизации: ±0,12 %/°С;• Временная нестабильность напряжения стабилизации: ±1,5 %;• Дифференциальное сопротивление стабилитрона: 200 Ом при Iст 1,5 мА;• Минимально допустимый ток стабилизации: 1 мА;• Максимально...
Транзистор 9NK70Z
Полевые транзисторы

Транзистор 9NK70Z

276124
5,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 700 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRFB33N15D (B33N15D)
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB33N15D (B33N15D)

266057
9,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 33 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор IGW30N60T
Полевые транзисторы

Транзистор IGW30N60T

305000
13,00 BYN
Маркировка: G30T60 Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 187 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 60 Максимальная температура перехода...
Транзистор FDS6912
Полевые транзисторы

Транзистор FDS6912

311913
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.028 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор 30N60RUFD
Полевые транзисторы

Транзистор 30N60RUFD

275982
34,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30A Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время нарастания: 80 Корпус: TO3P
Транзистор 2SK2628
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2628

304804
12,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 35 ns Выходная емкость (Cd): 320 pf...
Транзистор H4N60 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H4N60 to220

293199
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 106 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 80 ns Выходная емкость (Cd): 80 pf...
Транзистор FIR10N80F
Полевые транзисторы

Транзистор FIR10N80F

289747
9,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 130 ns Выходная емкость (Cd): 130...
Транзистор 60R600CP
Полевые транзисторы

Транзистор 60R600CP

276072
9,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SJ512
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ512

292950
4,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.25 Ohm
Транзистор AP2001
Полевые транзисторы

Транзистор AP2001

276188
27,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 7 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C SO16
Транзистор FDS8947 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS8947 so8

293116
10,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.052 Ohm Тип корпуса: SO8
Транзистор AP4563GH
Полевые транзисторы

Транзистор AP4563GH

276205
4,44 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3.13 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор APT68GA60B to247
Полевые транзисторы

Транзистор APT68GA60B to247

293068
69,60 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 520 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.9 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 30 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 68 Максимальная температура перехода (Tj): 150 Время...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.