Транзистор 8N50

Транзистор 8N50

Артикул: 276105

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 38 ns

Выходная емкость (Cd): 115 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.77 Ohm

5,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Type of Control Channel: N -Channel

Maximum Power Dissipation (Pd): 125 W

Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V

Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V

Maximum Drain Current |Id|: 8 A

Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C

Rise Time (tr): 38 nS

Drain-Source Capacitance (Cd): 115 pF

Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.77 Ohm

276105
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.