Транзистор 8N50
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 38 ns
Выходная емкость (Cd): 115 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.77 Ohm
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
Type of Control Channel: N -Channel
Maximum Power Dissipation (Pd): 125 W
Maximum Drain-Source Voltage |Vds|: 500 V
Maximum Gate-Source Voltage |Vgs|: 30 V
Maximum Drain Current |Id|: 8 A
Maximum Junction Temperature (Tj): 150 °C
Rise Time (tr): 38 nS
Drain-Source Capacitance (Cd): 115 pF
Maximum Drain-Source On-State Resistance (Rds): 0.77 Ohm