Транзистор IRFR9120N

Транзистор IRFR9120N

Артикул: 276481

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 39 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 18 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.48 Ohm

DPAK

2,52 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276481
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SB1097-O
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1097-O

275058
2,40 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V Ток коллектора, не более: -7 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 30 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 80 до 120
View
Транзистор 2SC5884
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5884

275555
17,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H65NF06
Полевые транзисторы

Транзистор H65NF06

293221
5,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2SK537
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK537

304891
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 30 ns Выходная емкость (Cd): 70 pf...
View
Транзистор 2SK1916
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1916

304751
20,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
View
Транзистор ME04N25 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор ME04N25 dpak (to252)

293301
5,60 BYN
Наименование прибора: ME04N25 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.3 A Максимальная температура...
View
Транзистор IRF4104
Полевые транзисторы

Транзистор IRF4104

275684
7,00 BYN
Полярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 VПороговое напряжение включения Ugs(th): 4 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 120 AМаксимальная температура канала (Tj): 175 °CСопротивление сток-исток открытого транзистора...
View
Транзистор AON6912
Полевые транзисторы

Транзистор AON6912

276175
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 52 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9 ns Выходная емкость (Cd): 125 pf...
View
Транзистор AO4418
Полевые транзисторы

Транзистор AO4418

276140
3,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 5.1 ns Выходная емкость (Cd): 180 pf...
View
Транзистор IRFR3110
Полевые транзисторы

Транзистор IRFR3110

276473
14,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 63 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.