Транзистор BSS138

Транзистор BSS138

Артикул: 276284

Корпус SOT-23
Вес 0,1 г
N-Channel 50V, 220mA, (Rds=3.5 Om@Vgs=10V) (Rds=6 Om@4.5V)

0,72 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276284
Новый товар

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 50N60FL
Полевые транзисторы

Транзистор 50N60FL

276029
16,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 417 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.8 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор 50N60SFD
Полевые транзисторы

Транзистор 50N60SFD

276031
20,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1040 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор AOT428 (T428) to220
Полевые транзисторы

Транзистор AOT428 (T428) to220

293043
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 115 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 80 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 65 nC Время нарастания (tr): 48...
Транзистор P8008HV
Полевые транзисторы

Транзистор P8008HV

276676
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 80 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
Транзистор APT1003RKLL
Полевые транзисторы

Транзистор APT1003RKLL

276268
12,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 139 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 1000 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 4 ns Выходная емкость (Cd): 135 pf...
Транзистор 85T03GP
Полевые транзисторы

Транзистор 85T03GP

276110
3,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 107 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 75 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд затвора (Qg): 33 nC Время нарастания (tr): 77...
Транзистор P4404 EDG
Полевые транзисторы

Транзистор P4404 EDG

276672
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9.2 ns Выходная емкость (Cd): 180 pf...
Транзистор 2SJ176
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ176

304657
27,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 120 ns Выходная емкость (Cd): 720 pf...
Транзистор IRF7101
Полевые транзисторы

Транзистор IRF7101

276389
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 12 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3.5 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm Тип корпуса: SO8
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.