Транзистор 10N120AND

Транзистор 10N120AND

Артикул: 275865

Тип управляющего канала: N-Channel

Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200V

Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 35A

Максимальная температура перехода (Tj): 150

TO3

14,76 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275865
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор FDD86250
Полевые транзисторы

Транзистор FDD86250

276316
6,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 132 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 150 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 50 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 2Т647А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т647А-2 Au

301055
27,00 BYN
Транзисторы 2Т647А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях диапазона частот 1...10 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 15 В.Транзисторы 2Т647А-2, 2Т647Б-2, бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.На крышку транзистора наносится условная маркировка:...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор H26NM60 to247
Полевые транзисторы

Транзистор H26NM60 to247

293187
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 140 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 20 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор AO4430
Полевые транзисторы

Транзистор AO4430

276144
2,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор P06P03LVG
Полевые транзисторы

Транзистор P06P03LVG

312022
5,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор CEP83A3
Полевые транзисторы

Транзистор CEP83A3

276304
5,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 100 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 22 ns Выходная емкость (Cd): 980 pf...
View
Транзистор 2SK1162
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1162

304704
16,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 60 ns Выходная емкость (Cd): 280 pf...
View
Транзистор 2SK3296
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3296

304850
11,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 1220 ns Выходная емкость (Cd): 570 pf...
View
Транзистор IRGP35B60PD
Полевые транзисторы

Транзистор IRGP35B60PD

276514
47,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 308W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.15V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40A TO247AC
View
Транзистор IRFBG30
Полевые транзисторы

Транзистор IRFBG30

276440
3,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4.3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.