Транзистор 9NK50ZT4

Транзистор 9NK50ZT4

Артикул: 276123

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 110 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7.2 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 32 nC

Время нарастания (tr): 20 ns

Выходная емкость (Cd): 125 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.85 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

4,52 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
276123
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор APM4430K
Полевые транзисторы

Транзистор APM4430K

276255
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 815 pf...
View
Транзистор 2SK2225
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2225

304771
32,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 50 ns Выходная емкость (Cd): 125 pf...
View
Транзистор IRFB3806
Полевые транзисторы

Транзистор IRFB3806

311956
5,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 71 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 43 A Общий заряд затвора (Qg): 22 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0158 Ohm Тип...
View
Транзистор FS2KM-16A
Полевые транзисторы

Транзистор FS2KM-16A

271130
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 800 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор 2SK2961
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2961

304829
10,80 BYN
Маркировка: K2961 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.9 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150...
View
Транзистор APM9973
Полевые транзисторы

Транзистор APM9973

276267
15,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 27 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 15 ns Выходная емкость (Cd): 77 pf...
View
Транзистор 8NA60
Полевые транзисторы

Транзистор 8NA60

276112
23,60 BYN
Тип транзистора: MOSFETПолярность: NМаксимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 WПредельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 VПредельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 VМаксимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 AМаксимальная температура канала (Tj): 150 °CВыходная емкость (Cd): 1690 pfСопротивление сток-исток открытого...
View
Транзистор H12N60FI (STH12N60FI,12N60FI) to-3p
Полевые транзисторы

Транзистор H12N60FI (STH12N60FI,12N60FI) to-3p

265437
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 7 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.6 Ohm
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.