Транзистор IRFP23N50L

Транзистор IRFP23N50L

Артикул: 275962

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 370 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 23 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 150 nC

Время нарастания (tr): 94 ns

Выходная емкость (Cd): 380 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.235 Ohm

Тип корпуса: TO247AC

28,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275962
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор K1626
Полевые транзисторы

Транзистор K1626

276570
8,56 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 25 ns Выходная емкость (Cd): 160 pf...
Транзистор H18N50 to220
Полевые транзисторы

Транзистор H18N50 to220

293173
12,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 277 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 18 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 165 ns Выходная емкость (Cd): 330...
Транзистор H60N03L dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор H60N03L dpak (to252)

293212
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 51 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор IRFD110
Полевые транзисторы

Транзистор IRFD110

276441
8,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор P0603BDG dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор P0603BDG dpak (to252)

293336
5,20 BYN
Наименование прибора: P0603BDG Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 68 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 52 ns...
Транзистор IRFP354
Полевые транзисторы

Транзистор IRFP354

276457
22,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 190 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 450 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 10 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор APM4015P B (N) (APM4015PU)
Полевые транзисторы

Транзистор APM4015P B (N) (APM4015PU)

266033
2,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 75 ns Выходная емкость (Cd): 320 pf...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.