Транзистор IRL520N

Транзистор IRL520N

Артикул: 303579
8,60 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 48 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 13.3 nC

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.18 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

303579

Просмотренные товары

Транзистор КТ368А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ368А

259450
0,00 BYN
Транзисторы КТ368А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.Транзисторы КТ368А, КТ368Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Масса транзистора в металлостеклянном корпусе не более 1 г.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор MMD50R380P dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор MMD50R380P dpak (to252)

293323
4,40 BYN
Наименование прибора: MMD50R380P Маркировка: 50R380 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 83 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A...
View
Транзистор AP9997GM
Полевые транзисторы

Транзистор AP9997GM

276244
4,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 95 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 7 ns Выходная емкость (Cd): 65 pf...
View
Транзистор FCH067N65S3
Полевые транзисторы

Транзистор FCH067N65S3

311877
26,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 312 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 44 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор 12NM50N
Полевые транзисторы

Транзистор 12NM50N

275892
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Транзистор FDS4470
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4470

276326
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.5 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
View
Транзистор QM3016D dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор QM3016D dpak (to252)

293348
5,20 BYN
Наименование прибора: QM3016D Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 62.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 96 A Максимальная температура...
View
Транзистор AO4433
Полевые транзисторы

Транзистор AO4433

276145
2,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 11 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания...
View
Транзистор NTF3055L sot223
Полевые транзисторы

Транзистор NTF3055L sot223

293335
3,00 BYN
Маркировка: 3055L Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.1 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 15 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 3 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.092 Ohm Тип корпуса: SOT223, TO261
View
Транзистор 2SK4110
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK4110

304880
12,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 28 nC Время нарастания (tr): 20 ns...
View
Транзистор 2SK1271
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK1271

311821
96,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 240 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1400 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 125 nC Время нарастания (tr): 30...
View
Транзистор IRLML2402
Полевые транзисторы

Транзистор IRLML2402

276536
0,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.54 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 1.2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.25 Ohm SOT23-3
View
Транзистор TK8A50D sc67 (to220f)
Полевые транзисторы

Транзистор TK8A50D sc67 (to220f)

293439
8,00 BYN
Наименование прибора: TK8A50D Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.