Транзисторы импортные

Транзистор ST8812FX
Биполярные транзисторы

Транзистор ST8812FX

275798
6,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор STA3250D
Полевые транзисторы

Транзистор STA3250D

312035
5,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор STB14NK50Z
Полевые транзисторы

Транзистор STB14NK50Z

302520
9,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 14 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STB25NM50N (B25NM50N)
Полевые транзисторы

Транзистор STB25NM50N (B25NM50N)

266062
15,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 22 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STB55NF03L
Полевые транзисторы

Транзистор STB55NF03L

312637
4,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 80 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 55 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор STB70NF3LLT4
Полевые транзисторы

Транзистор STB70NF3LLT4

312638
8,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 1 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор STD100NH03L dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор STD100NH03L dpak (to252)

293406
10,72 BYN
Наименование прибора: STD100NH03LT4 Маркировка: D100NH03L Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 100 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 60 A...
Транзистор STD10NM60N (10NM60N)
Полевые транзисторы

Транзистор STD10NM60N (10NM60N)

265445
7,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 25 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор STD10PF06T4
Полевые транзисторы

Транзистор STD10PF06T4

312036
7,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор STD12N50M2 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор STD12N50M2 dpak (to252)

293407
8,40 BYN
Наименование прибора: STD12N50M2 Маркировка: 12N50M2 Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 85 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 500 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 10 A...
Показано 5329-5352 из 5751
Транзисторы импортные
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.