Транзистор КТ315Г

Транзистор КТ315Г

Артикул: 259438

Транзисторы КТ315Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы соответствующего типономинала.
Масса транзистора не более 0,18 г.

0,57 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259438
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Диоды СВЧ 2А105Б
Диоды СВЧ

Диоды СВЧ 2А105Б

294570
1,04 BYN
Основные технические параметры СВЧ диода 2А105Б:• Потери преобразования: не более 9 дБ;• Выпрямленный ток: не менее 0,8 мА;• Выходное шумовое отношение: не более 1,6;• Нормированный коэффициент шума: не более 9 дБ;• Коэффициент стоячей волны по напряжению: не более 1,5;• Выходное сопротивление: 250...450 Ом;• Непрерывная рассеиваемая мощность: 20 мВт;•...
View
Транзистор КТ315Е1
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ315Е1

301292
0,40 BYN
Транзисторы КТ315Е1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы соответствующего типономинала.Масса транзистора не более...
View
Транзистор КТ315Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ315Б

259436
0,88 BYN
Транзисторы КТ315Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы соответствующего типономинала.Масса транзистора не более 0,18 г.
View
Транзистор КТ325ВМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ325ВМ

301313
0,40 BYN
Транзисторы КТ325ВМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с ненормированным коэффициентом шума.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты аппаратуры широкого назначения.Транзисторы выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Стеклотекстолит 35/35 FR-4 0,5 х 200 х 300 мм
Стеклотекстолит двусторонний FR-4

Стеклотекстолит 35/35 FR-4 0,5 х 200 х 300 мм

10222
23,00 BYN
Стеклотекстолит фольгированный двусторонний  FR4-4 Назначение : для печатных плат Сопротивление : поверхностное, не менее - 2х10 (9) Ом Категория : огнестойкость - UL94V-0 Характеристика : водопоглощение - 0,2...0,35 % Толщина : стеклотекстолит - 0,5 мм; фольга - 35 мкм FR4 - это наиболее распространенный стеклотекстолит,применяемый для изготовления...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2Т326Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т326Б Au

300979
4,80 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.Транзисторы 2Т326А, 2Т326Б, КТ326А, КТ326Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,5 г.Тип...
View
Транзистор КТ928Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ928Б Au

301238
4,40 BYN
Транзисторы КТ928Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные, высокочастотные.Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах электронной аппаратуры общего назначения.Выпускается в металлическом корпусе гибкими выводами и стеклянными изоляторами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса...
View
Транзистор 2Т928А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т928А Au

300864
9,20 BYN
Транзисторы 2Т928А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Масса транзистора не более 3 г.Тип корпуса: КТ-2-7.Технические условия: Я53.365.034 ТУ.
View
Транзистор КТ343А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ343А

259442
6,60 BYN
радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.Транзистор КТ343А служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.
View
Транзистор КП505А
Транзисторы отечественные

Транзистор КП505А

259847
1,32 BYN
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и n-каналом.КП505А предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах с непрерывным импульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах управления электродвигателей и другой радиоэлектронной...
View
Транзистор 1Т403Д
Транзисторы отечественные

Транзистор 1Т403Д

300726
0,60 BYN
Транзисторы 1Т403Д германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 4...
View
Транзистор 2Т920Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т920Б Au

300856
21,00 BYN
Транзисторы 2Т920Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
View
Транзистор КТ809А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ809А

282659
15,00 BYN
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 400 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 400 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 3000(5000) мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (40) Вт Статический...
View
Транзистор КТ818БМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ818БМ

259517
7,92 BYN
Транзисторы КТ818БМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы КТ818АМ, КТ818БМ, КТ818ВМ, КТ818ГМ предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 20 г.
View
Транзистор КТ201А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ201А

259413
6,16 BYN
Структура n-p-nМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 20 ВМаксимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 20 ВМаксимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 20(100) мАМаксимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.15 ВтСтатический коэффициент...
View
Транзистор КТ971А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ971А Au

301270
97,00 BYN
Транзисторы КТ971А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 28 В.Используются для работы в стационарной и бортовой аппаратуре средств радиосвязи общего назначения.Выпускаются в металлокерамическом...
View
Транзистор КТ851А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ851А

301137
2,40 BYN
Транзисторы КТ851А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в усилителях мощности и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View
Транзистор КТ503Е
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ503Е

301427
0,60 BYN
Транзисторы КТ503Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
View
Транзистор КТ819БМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819БМ

301096
3,20 BYN
Транзисторы КТ819БМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими выводами.Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на...
View
Транзистор КТ645Д
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ645Д

301477
0,40 BYN
Транзисторы КТ645Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях,в быстродействующих импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 0,3 г.
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Стеклотекстолит 35/35 FR-4 0,5 х 200 х 300 мм
Стеклотекстолит двусторонний FR-4

Стеклотекстолит 35/35 FR-4 0,5 х 200 х 300 мм

10222
23,00 BYN
Стеклотекстолит фольгированный двусторонний  FR4-4 Назначение : для печатных плат Сопротивление : поверхностное, не менее - 2х10 (9) Ом Категория : огнестойкость - UL94V-0 Характеристика : водопоглощение - 0,2...0,35 % Толщина : стеклотекстолит - 0,5 мм; фольга - 35 мкм FR4 - это наиболее распространенный стеклотекстолит,применяемый для изготовления...
View
Лента никелированная 0,15 х 6 мм 2 м
Никель

Лента никелированная 0,15 х 6 мм 2 м

11222
14,00 BYN
Стальная никелированная лента , применяется для сборки аккумуляторных батарей и отдельных ячеек методом точечной сварки. Максимальный продолжительный ток нагрузки: 6А. Для того, чтобы надежно обеспечить нагрузочные токи более 6A, рекомендуется монтаж в несколько слоев. Особенности в хорошей производительности сварки, высокое натяжение, низкое удельное...
View
Транзистор КТ361Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ361Б

259445
0,88 BYN
Транзисторы КТ361Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 0,3 г.
View
Транзистор КТ315Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ315Б

259436
0,88 BYN
Транзисторы КТ315Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается в этикетке, а также на корпусе прибора в виде буквы соответствующего типономинала.Масса транзистора не более 0,18 г.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.