Транзистор П308М

Транзистор П308М

Артикул: 301370

Транзисторы П308М кремниевые планарные n-p-n переключательные низкочастотные маломощные.
Предназначены для применения в схемах переключения и преобразователей постоянного напряжения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Технические условия: ЖК3.365.059 ТУ1.

0,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
301370

Просмотренные товары

Транзистор AP60T03GH
Полевые транзисторы

Транзистор AP60T03GH

276208
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 44 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 45 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время нарастания (tr): 58 ns Выходная емкость (Cd): 200 pf...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 3П910Б-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 3П910Б-2 Au

301689
27,00 BYN
Транзистор - радиоэлектронный компонент из полупроводникового материала, обычно с тремя выводами, позволяющий входным сигналом управлять током в электрической цепи.Транзистор 3П910Б-2 служит для усиления, генерации и преобразования электрических сигналов.Применяется в различных областях приборостроения, радиоэлектронной промышленности, электротехнической...
View
Транзистор КТ6114А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ6114А

301446
0,40 BYN
Транзистор КТ6114А кремниевый биполярный n-р-n, для ключевых и линейных схем, выходных каскадов усилителей НЧ.Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса транзистора не более 0,3 г.Тип корпуса: КТ-26...
View
Транзистор КТ315И
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ315И

301294
0,80 BYN
Транзисторы КТ315И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса транзистора не более 0,18 г.Тип корпуса:...
View
Транзистор КП7173А
Транзисторы отечественные

Транзистор КП7173А

301561
2,80 BYN
Кремниевый эпитаксиально-планарный полевой транзистор с изолированным затвором, обогащением n-канала, встроенным в цепь „затвор-исток” двухсторонним стабилитроном, предназначенный для использования в источниках питания телевизионных приемников, драйверах высокого напряжения, быстродействующих преобразователях напряжения, высоковольтных аналоговых схемах,...
View
Транзистор КТ521А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ521А

301433
0,40 BYN
Кремниевый эпитаксиально-планарный биполярный p-n-p транзистор.КТ521А предназначен для работы в выходных каскадах видеоусилителей, ключевых высоковольтных схемах и других узлах и блоках аппаратуры широкого применения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса транзистора не более...
View
Транзистор 2Т881Г Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т881Г Ni

300820
8,00 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилительных и переключательных устройствах.Транзисторы 2Т881А, 2Т881Б, 2Т881В, 2Т881Г выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзисторы 2Т881А-5, 2Т881Г-5 выпускаются в...
View
Транзистор КТ835А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ835А

259790
1,10 BYN
Транзисторы КТ835А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
View
Транзистор 2Т856В
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т856В

300801
10,80 BYN
Транзисторы 2Т856В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах.Транзисторы 2Т856А, 2Т856Б, 2Т856В, 2Т856Г выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 16 г,Тип корпуса: КТ-9...
View
Транзистор 2Т506А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т506А Au

301011
21,60 BYN
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т506А, 2Т506Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзистор...
View
Транзистор 2Т664Б9
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т664Б9

301028
14,60 BYN
Транзисторы 2Т664Б-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.На корпусах транзисторов наносят условные знаки:- 2Т664А9 - 1A,- 2Т664Б9 - 1Б,- КТ664А9 - КА,- КТ664Б9 - КБ.Тип прибора указывается в...
View
Транзистор КП745Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КП745Г

301579
1,60 BYN
Кpемниевые эпитаксиально-планаpные полевые тpанзистоpы с изолиpованным затвоpом, обогащением n-канала.КП745Г пpедназначены для использования в источниках втоpичного электpопитания с бестpансфоpматоpным входом, в pегулятоpах, стабилизатоpах и преобразователях с непpеpывным импульсным упpавлением, cхемах упpавления электpодвигателями и дpугой...
View
Транзистор 2Т391А-2Н Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т391А-2Н Au

300999
2,20 BYN
кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 3,6 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию.Бескорпусные с гибкими выводами на...
View
Транзистор 2Т208А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208А

259422
3,96 BYN
Транзисторы 2Т208А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.
View
Транзистор КП303Ж Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КП303Ж Ni

301616
1,00 BYN
Транзисторы КП303Ж кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой частоты КП303Д, КП303Е и низкой КП303А, КП303Б, КП303В, КП303Ж, КП303И частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП303Г в основном предназначены для применения в...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.