Транзистор КТ3107А

Транзистор КТ3107А

Артикул: 301192

Транзисторы КТ3107А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.
Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Вариант 1 - буквенно-цифровым кодом на корпусе транзистора.
Вариант 2 - на корпусе наносится условная маркировка - две цветные точки:

0,52 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22

Описание
Подробнее о товаре

- КТ3107А - голубая и розовая;
   - КТ3107Б - голубая и жёлтая;
   - КТ3107В - голубая и синяя;
   - КТ3107Г - голубая и бежевая;
   - КТ3107Д - голубая и оранжевая;
   - КТ3107Е - голубая и цвета электрик;
   - КТ3107Ж - голубая и салатовая;
   - КТ3107И - голубая и зелёная;
   - КТ3107К - голубая и красная;
   - КТ3107Л - голубая и серая.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69.
Категория качества: «ОТК».
Технические условия:
  - приемка «1» аА0.336.170ТУ/04.
Гарантийный срок сохраняемости - 12 лет.
Импортный аналог: BCY70, MPS3703, BC177AP, BC557A, BC177V.

Артикул 301192

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ837И

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837И

Транзисторы КТ837И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...

Транзистор BD243C

Биполярные транзисторы

Транзистор BD243C

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 Корпус: TO-220

Микросхема R2S15900 so28

Микросхемы импортные

Микросхема R2S15900 so28

Оптимальный процессор аудиосигнала 28Pin

Транзистор TIP127

Биполярные транзисторы

Транзистор TIP127

Характеристики транзистора TIP127Структура p-n-pМаксимально допустимое напряжение коллектор-база 100 ВМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 100 ВМаксимально допустимый постоянный ток коллектора 5 АМаксимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 ВтСтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ610А Au

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ610А Au

Транзисторы КТ610А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях напряжения и мощности в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.

Транзистор КТ646А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ646А

Транзисторы КТ646А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n быстродействующие, высоковольтные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.

Транзистор МП25А

Транзисторы отечественные

Транзистор МП25А

Транзисторы МП25А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТЮ-3-6.Технические условия: аА0.336.623 ТУ.

Транзистор КТ659А Au

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ659А Au

Транзистор КТ659А кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный.Предназначен для применения в высокоскоростных переключающих устройствах.Выпускается в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Масса транзистора не более 1,5 г.

Транзистор МП14А

Транзисторы отечественные

Транзистор МП14А

Транзисторы МП14А германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные маломощные.Предназначены для усиления малых сигналов низкой частоты, усиления, переключения, формирования импульсов, применения в ферриттранзисторных ячейках.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.Масса...

Транзистор КТ639Ж

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ639Ж

Транзисторы КТ639Ж кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные. Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, усилителях мощности, видеоусилителях, автомобильных электронных устройствах, импульсных и переключающих устройствах, в оконечных устройствах ЭВМ. Транзисторы КТ639А, КТ639Б, КТ639В, КТ639Г, КТ639Д, КТ639Е, КТ639Ж,...

Транзистор П216В

Транзисторы отечественные

Транзистор П216В

Структура p-n-p Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 35 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 7,5 А мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 24* Вт Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером >30...

Транзистор 2Т316Г Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т316Г Ni

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).Выпускаются: - в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г,...

Транзистор 2Т3132А-5

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3132А-5

транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный с нормированным коэффициентом шума, применяется в СВЧ маломощных усилителя диапазона частот 1...7,2 ГГц герметизированной аппаратуры.

Транзистор 2Т963А-2 Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т963А-2 Au

Транзисторы 2Т963А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот 2...10 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок.Транзисторы 2Т963А-2, 2Т963Б-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими...

Транзистор 2Т665А9

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т665А9

Транзисторы 2Т665А-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Маркируются условными знаками: - 2Т665А9 - 2А, - 2Т665Б9 - 2Б,Тип прибора указывается в этикетке.Масса транзистора не более 0,1 г.Тип...

Транзистор КТ3102БМ

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3102БМ

Транзисторы КТ3102БМ эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.

Тразистор КП307Е Ni

Транзисторы отечественные

Тразистор КП307Е Ni

Транзисторы КП307Е кремниевые эпитаксиально-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.Предназначены для применения во входных и выходных каскадах усилителей высокой и низкой частот с высоким входным сопротивлением.Транзисторы КП307Ж в основном предназначены для применения в зарядочувствительных усилителях и других устройствах...

Транзистор КП748А1

Транзисторы отечественные

Транзистор КП748А1

Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором, обогащением n-канала, и встроенным обратносмещенным диодом. Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным испульсным управлением, блоках питания ЭВМ, схемах...

Транзистор КТ801Б

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ801Б

Транзисторы КТ801Б кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в кадровой и строчной развертках, источниках вторичного электропитания.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 4 г.

Транзистор КТ501И Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ501И Ni

Транзисторы КТ501И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор TIP127

Биполярные транзисторы

Транзистор TIP127

Характеристики транзистора TIP127Структура p-n-pМаксимально допустимое напряжение коллектор-база 100 ВМаксимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 100 ВМаксимально допустимый постоянный ток коллектора 5 АМаксимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 ВтСтатический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с...

Транзистор КТ837И

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837И

Транзисторы КТ837И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...

Транзистор BD243C

Биполярные транзисторы

Транзистор BD243C

Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 Корпус: TO-220

Микросхема R2S15900 so28

Микросхемы импортные

Микросхема R2S15900 so28

Оптимальный процессор аудиосигнала 28Pin

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.