Транзистор TIP127

Транзистор TIP127

Артикул: 264239

Характеристики транзистора TIP127
Структура p-n-p
Максимально допустимое напряжение коллектор-база 100 В
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер 100 В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора 5 А
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора 2 Вт
Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером 1000

2,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

NPN Darl, 100V, 5A, 65W, B>1000 (Comp. TIP127)

264239
Новый товар

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ837И
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837И

301122
1,00 BYN
Транзисторы КТ837И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
Транзистор КТ3107А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3107А

301192
0,52 BYN
Транзисторы КТ3107А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта маркировки:Вариант 1 -...
Транзистор BD243C
Биполярные транзисторы

Транзистор BD243C

260107
2,60 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 Корпус: TO-220

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC4115
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4115

304006
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.4 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 90
Транзистор 2SC5480
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5480

275491
8,24 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4 TO3PFM
Транзистор 2SA1091R
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1091R

312439
2,80 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В Напряжение коллектор-база, не более: -300 В Напряжение эмиттер-база, не более: -8 V Ток коллектора, не более: -0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 90 Граничная частота коэффициента передачи тока: 60 МГц Корпус:...
Транзистор A1024
Биполярные транзисторы

Транзистор A1024

274966
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1764
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1764

304384
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2500
Транзистор D468
Биполярные транзисторы

Транзистор D468

275689
0,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор MJE13007D to220 (E13007-2 с диодом)
Биполярные транзисторы

Транзистор MJE13007D to220 (E13007-2 с диодом)

293313
4,00 BYN
Наименование производителя: MJE13007D Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A...
Транзистор D2335
Биполярные транзисторы

Транзистор D2335

275654
5,56 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Статический коэффициент передачи тока...
Транзистор 15016
Биполярные транзисторы

Транзистор 15016

274930
10,80 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -120 В Напряжение коллектор-база, не более: -200 В Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V Ток коллектора, не более: -15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 180 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 20 до 70 Граничная частота коэффициента передачи тока: 2 МГц

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ3107А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3107А

301192
0,52 BYN
Транзисторы КТ3107А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта маркировки:Вариант 1 -...
Транзистор BD243C
Биполярные транзисторы

Транзистор BD243C

260107
2,60 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В Напряжение коллектор-база, не более: 100 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 6 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 65 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 Корпус: TO-220
Транзистор КТ837И
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837И

301122
1,00 BYN
Транзисторы КТ837И кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.