Транзистор КТ840В

Транзистор КТ840В

Артикул: 301129

Транзистор КТ840В кремниевый мезапланарный переключательный, структура NPN. Предназначен для применения в переключающих и импульсных устройствах. Выпускается в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.

3,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22

Подробнее о товаре

Артикул 301129

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2Т215Д-1

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т215Д-1

2Т215Д-1 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный. Предназначен для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения.

Транзистор КТ892В

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ892В

Наименование производителя: KT892B Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 175 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A...

Транзистор П701Б

Транзисторы отечественные

Транзистор П701Б

Транзисторы П701Б кремниевые сплавно-диффузионные структуры n-p-n усилительные низкочастотные.Предназначены для применения в усилителях и генераторах радиоэлектронных устройств.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 12 г, с крепежным фланцем - не более 16 г.Технические...

Транзистор КТ819Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819Г

Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.

Транзистор 2Т505Б Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т505Б Ni

Транзисторы 2Т505Б кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в источниках вторичного электропитания и переключающих, устройствах.Транзисторы 2Т505А, 2Т505Б, 2Т505В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзистор 2Т505А-5 выпускается в...

Транзистор КТ8136А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8136А

Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

Транзистор 2Т928Б Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т928Б Au

Транзисторы 2Т928Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Масса транзистора не более 3 г.Тип корпуса: КТ-2-7.Технические условия: Я53.365.034 ТУ.

Транзистор КТ969A

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ969A

Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в выходных каскадах видеоусилителей телевизионных приемников.Транзистор КТ969А выпускается в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,8 г.

Транзистор 2Т880В Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т880В Au

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Транзисторы 2Т880А, 2Т880Б, 2Т880В, 2Т880Г, 2Т880Д выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзисторы 2Т880А-5 выпускается в виде...

Транзистор ГТ402

Германиевые транзисторы

Транзистор ГТ402

Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60

Транзистор 2Т994В Au

Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т994В Au

Транзистор КП956Б

Транзисторы отечественные

Транзистор КП956Б

КП956Б транзистор n-типа со статической индукцией (БСИТ), кремниевый ключевой эпитаксиально-планарный с вертикальным каналом n-типа со статической индукцией применяется в схемах высокочастотных источников питания и других быстродействующих ключевых схемах радиоэлектронной аппаратуры.

Транзистор КТ826А

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ826А

Транзисторы КТ826А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими...

Транзистор КП305Г

Транзисторы отечественные

Транзистор КП305Г

Высокочастотные малошумящие диффузионно-планарные полевые транзисторы КП305 с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения в усилителях высоких и низких частот с высоким входным сопротивлением. Диапазон рабочих температур окружающей среды -60…+125 °С.

Тразистор КП327Б

Транзисторы отечественные

Тразистор КП327Б

Структураn-каналМаксимальное напряжение сток-исток Uси,В18Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.03Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В6Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.2Крутизна характеристики, S11Корпускт-29Вес, г0.3

Транзистор КТ653А Ni

Транзисторы отечественные

Транзистор КТ653А Ni

Описание транзисторы биполярные отечественные Технические параметры Структура NPN Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В*: Максимальное напряжение к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи,В 130 Макс. напр. к-э при заданном токе к и заданном сопр. в цепи б-э.(Uкэr макс),В 130 Максимально допустимый ток к...

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.