Транзистор 2Т648А-5

Транзистор 2Т648А-5

Артикул: 301022

 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла не более 0,0001 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Категория качества: «ВП».
Технические условия:
  - приемка «5» - аА0.339.266ТУ.
Срок сохраняемости - не менее 25 лет с даты приемки, а в случае перепроверки изделия - с даты перепроверки.
Зарубежный аналог: NE56755, AT12570-5.

6,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
301022

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2Т9123Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т9123Б Au

300846
10,80 BYN
Мощные биполярные n-p-n транзисторы Дарлингтона с рассеиваемой мощностью 60 Вт и граничной частотой коэффициента передачи тока более 130 МГц.Предназначен для применения в переключательных схемах.Тип корпуса КТ-9.Технические условия: аА0.339.661ТУ.
View
Транзистор КТ601АМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ601АМ

299913
0,52 BYN
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 30 мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.25(0.5) Вт Статический...
View
Транзистор КТ8261А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8261А

301105
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2ПС202Г-1
Транзисторы отечественные

Транзистор 2ПС202Г-1

301669
1,08 BYN
Транзисторная сборка 2ПС202Г-1 состоящая из двух кремниевых эпитаксиально-планарных ионно-легированных полевых малошумящих транзисторов с p-n переходом и каналом n-типа.Сборка предназначена для применения в входных каскадах дифференциальных малошумящих усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
View
Транзистор КТ630В Nib
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ630В Nib

301463
5,40 BYN
Транзисторы КТ630В кремниевые планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах, в схемах управления газоразрядной панелью переменного тока, силовых каскадах ключевых стабилизаторов и преобразователей.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлостеклянном...
View
Транзистор 2Т919А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т919А Au

300854
15,60 BYN
Транзисторы 2Т919А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой.Выпускаются:  - 2Т919А, 2Т919Б, 2Т919В в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами,  - 2Т919А-2, 2Т919Б-2, 2Т919В-2...
View
Транзистор 2Т203Б Ni ОС
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т203Б Ni ОС

300758
4,20 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Транзисторы 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,5 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические...
View
Транзистор 2Т316В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т316В Au

300963
3,20 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).Выпускаются:   - в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г,...
View
Транзистор КТ3117А1
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3117А1

301206
0,52 BYN
Транзисторы КТ3117А1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные, высокочастотные.Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.
View
Транзистор Д814В
Транзисторы отечественные

Транзистор Д814В

301159
0,32 BYN
Стабилитроны Д814В кремниевые, сплавные, средней мощности.Предназначены для стабилизации напряжения 9,0-10,5 В в диапазоне токов стабилизации 3...32 мА.Используются для работы в различных радиоэлектронных устройствах широкого применения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими разнонаправленными выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом, схема...
View
Транзистор КП948Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КП948Б

301608
1,20 BYN
Транзистор полевой КП948Б с вертикальным нормально закрытым каналом n-типа, работающий при прямом смещении на затворе, Uзи max=5В.Схема включения аналогична включению биполярных n-p-n транзисторов.Предназначен для применения в быстродействующих силовых схемах радиоэлектронной аппаратуры (РЭА). Применение его вместо КТ858, КТ859, КТ872 и т.п. позволяет в 2...
View
Транзистор 2Т826В
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т826В

301069
5,40 BYN
Транзисторы 2Т826В кремниевые меза-планарные структуры n-p-n высоковольтные, переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, в преобразователях постоянного напряжения, высоковольтных стабилизаторах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.Транзисторы 2Т826А, 2Т826Б, 2Т826В...
View
Транзистор 1Т403Г
Транзисторы отечественные

Транзистор 1Т403Г

300725
1,00 BYN
Транзисторы 1Т403Г германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 4...
View
Транзистор КТ802А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ802А

282656
15,00 BYN
Структура n-p-n Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 150 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 130 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 5000 мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) (50) Вт Статический коэффициент...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.