Транзистор 2Т998А-2 Au

Транзистор 2Т998А-2 Au

Артикул: 301018

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n.
2Т998А предназначен для применения в переключательных и усилительных схемах, в выходных каскадах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускается в металлокерамическом корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-5.
Технические условия: аА0.339.513ТУ.

6,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
301018

Просмотренные товары

Транзистор КТ967А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ967А Au

301267
59,20 BYN
Транзисторы КT967A кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях мощности диапазона частот 1,5...30 МГц при напряжении литания 12,6 В.Используются для работы в составе аппаратуры средств радиосвязи общего назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе  с полосковыми...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ315Р
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ315Р

301297
0,80 BYN
Транзисторы КТ315Р кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой, промежуточной и низкой частоты аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса транзистора не более 0,18 г.Тип корпуса:...
View
Транзистор КТ3102ЕМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3102ЕМ

301189
0,72 BYN
Транзисторы КТ3102ЕМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, малой мощности, высокой частоты.Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.Выпускаются  в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два...
View
Транзистор 2Т928Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т928Б Au

300865
9,20 BYN
Транзисторы 2Т928Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Масса транзистора не более 3 г.Тип корпуса: КТ-2-7.Технические условия: Я53.365.034 ТУ.
View
Транзистор КТ837В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837В

301120
2,80 BYN
Транзисторы КТ837В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, низкочастотные, усилительные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View
Транзистор ГТ402
Германиевые транзисторы

Транзистор ГТ402

294816
14,00 BYN
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 85 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 1 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
View
Транзистор 2Т921А Au ОС
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т921А Au ОС

300859
34,40 BYN
Транзисторы 2Т921А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 6,5 г.Тип корпуса:...
View
Транзистор КТ835А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ835А

259790
1,10 BYN
Транзисторы КТ835А кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
View
Транзистор КП302ГМ Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КП302ГМ Au

301532
12,00 BYN
Структура  N-FET  Максимальное напряжение сток-исток Uси,В  20  Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс.,А  -  Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В  7  Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм  150  Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс.,Вт  0.3  Крутизна характеристики S,мА/В  10  Корпус  -  Описание КП302ГМ -...
View
Транзистор 2Т317А-1
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т317А-1

300968
0,80 BYN
Транзисторы 2Т317А-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.Помещаются в возвратную тару, позволяющую производить измерение электрических...
View
Транзистор КТ816Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ816Г

259512
1,45 BYN
Транзисторы КТ816Г кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.
View
Транзистор 2Т934В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т934В Au

300875
25,40 BYN
Транзисторы 2Т934В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 100...400 МГц при напряжении питания 28 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
View
Транзистор П201Э
Транзисторы отечественные

Транзистор П201Э

301346
6,00 BYN
Структура p-n-p Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 45 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 1,5 А мА Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 10* Вт Вт Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.