Транзистор 2Т883А

Транзистор 2Т883А

Артикул: 300827
8,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
300827

Просмотренные товары

Транзистор 2SA952
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA952

303075
1,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2Т841Б1
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т841Б1

300791
3,20 BYN
Транзисторы 2Т841Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Тип прибора указывается...
View
Транзистор 2SC5251
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5251

304119
17,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 8
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор П608
Транзисторы отечественные

Транзистор П608

301380
1,20 BYN
 германиевые структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилительных, генераторных и импульсных каскадах низкой и высокой частоты до 100 МГц.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора с жесткими выводами не более 12 г.Технические условия: аА0.336.536 ТУ.
View
Транзистор 2Т876А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т876А

300811
64,00 BYN
Транзисторы 2Т876А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы 2Т876А, 2Т876Б, 2Т876В, 2Т876Г предназначены для применения в усилительных и переключающих устройствах.Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.Тип...
View
Транзистор 2Т819В
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т819В

301064
3,20 BYN
Транзисторы 2Т819В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в узлах и блоках электронной аппаратуры специального назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным...
View
Транзистор КТ896А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ896А

301216
10,60 BYN
Транзисторы КТ896А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p составные усилительные.Предназначены для применения в усилителях мощности.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип прибора указывается на...
View
Транзистор КП704А
Транзисторы отечественные

Транзистор КП704А

301555
7,60 BYN
Эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором и каналом n-типа. Предназначены для применения во вторичных источниках электропитания, в выходных каскадах графических дисплеев и быстродействующих импульсных устройствах. Диапазон рабочих температур окружающей среды -45…+85 °С.
View
Транзистор 2Т312Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т312Б Ni

300916
3,20 BYN
Транзисторы 2Т312Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 1 г.Тип корпуса: КТЮ-3-1.Технические условия: ЖК3.365.143 ТУ.
View
Транзистор КТ841А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ841А

301130
36,00 BYN
Транзисторы КТ841А кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жёсткими...
View
Транзистор КТ3102АМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3102АМ

259817
0,57 BYN
Транзисторы КТ3102АМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
View
Транзистор 2Т316А NiB
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т316А NiB

300961
3,00 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в усилителях высокой частоты (2Т316Г, 2Т316Д, КТ316Г, КТ316Д) и переключающих устройствах (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316А-5, КТ316А, КТ316Б, КТ316В).Выпускаются:   - в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами (2Т316А, 2Т316Б, 2Т316В, 2Т316Г,...
View
Транзистор 2Т830Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т830Б Ni

301077
48,40 BYN
Транзисторы 2Т830Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.Корпус транзистора 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТ-2-7...
View
Транзистор КТ852В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ852В

301142
1,20 BYN
Транзисторы КТ852В кремниевые планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах аппаратуры общего назначения.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип корпуса: КТ-28-2 (TO-220AB).Масса транзистора не более 2,5 г.Климатическое...
View
Транзистор КТ819АМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819АМ

301094
1,40 BYN
Транзисторы КТ819АМ кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Используются для работы в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на...
View
Транзистор КТ837Т
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ837Т

301126
1,20 BYN
Структура pnp Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 7.5 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 0.9 Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 30 Корпус кт-28-2(то-220)
View
Транзистор КП202Д-1
Транзисторы отечественные

Транзистор КП202Д-1

301529
0,40 BYN
КП202Д1 транзистор бескорпусной кремниевый эпитаксиально-планарный полевой с p-n переходом и каналом n-типа, малошумящий. Предназначен для применения во входных каскадах дифференциальных усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.
View
Транзистор 2Т391А-2Н Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т391А-2Н Au

300999
2,20 BYN
кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 3,6 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры, обеспечивающих герметизацию.Бескорпусные с гибкими выводами на...
View
Транзистор 2Т998А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т998А-2 Au

301018
6,40 BYN
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n.2Т998А предназначен для применения в переключательных и усилительных схемах, в выходных каскадах радиоэлектронной аппаратуры.Выпускается в металлокерамическом корпусе.Масса транзистора не более 20 г.Тип корпуса: КТ-5.Технические условия: аА0.339.513ТУ.
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.