Транзистор КТ601АМ

Транзистор КТ601АМ

Артикул: 299913
  • Структура n-p-n
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 100 В
  • Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 100 В
  • Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 30 мА
  • Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода (с теплоотводом) 0.25(0.5) Вт
  • Статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером =>16
  • Обратный ток коллектора <=50 мкА
  • Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером =>40 МГц
0,52 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
299913

Просмотренные товары

Транзистор AP88N30W to3p
Полевые транзисторы

Транзистор AP88N30W to3p

293052
17,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 300 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 48 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 150 nC Время нарастания (tr): 142...
View
Транзистор FDS4480 so8
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4480 so8

293106
8,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 800
View
Транзистор IRGP4063D to-247
Транзисторы IGBT

Транзистор IRGP4063D to-247

266560
30,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 330W Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600V Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.14V Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 96A
View
Транзистор 2SA539Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA539Y

303051
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ209М
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ209М

301172
0,40 BYN
Транзисторы КТ209М кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2Т506Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т506Б Au

301012
10,80 BYN
Транзисторы кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т506А, 2Т506Б выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Транзистор...
View
Транзистор 2Т932Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т932Б

300870
2,20 BYN
Транзисторы 2Т932Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 20 г.Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).Технические условия: аА0.339.086 ТУ.
View
Транзистор 2Т664Б9
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т664Б9

301028
14,60 BYN
Транзисторы 2Т664Б-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.На корпусах транзисторов наносят условные знаки:- 2Т664А9 - 1A,- 2Т664Б9 - 1Б,- КТ664А9 - КА,- КТ664Б9 - КБ.Тип прибора указывается в...
View
Транзистор 2Т920А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т920А Au

300855
21,60 BYN
Транзисторы 2Т920А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом.Тип прибора указывается на корпусе.Масса...
View
Транзистор ГТ403Б
Транзисторы отечественные

Транзистор ГТ403Б

301154
0,40 BYN
Транзисторы ГТ403Б германиевые сплавные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях и стабилизаторах постоянного тока.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 4...
View
Транзистор КП940Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КП940Б

301606
3,80 BYN
 Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи...
View
Транзистор КТ611АМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ611АМ

301452
0,40 BYN
Транзисторы кремниевые мезапланарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях и генераторах.Корпус транзисторов КТ611АМ, КТ611БМ пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 1 г.Тип корпуса: KT-27-2.
View
Транзистор 2Т998А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т998А-2 Au

301018
6,40 BYN
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n.2Т998А предназначен для применения в переключательных и усилительных схемах, в выходных каскадах радиоэлектронной аппаратуры.Выпускается в металлокерамическом корпусе.Масса транзистора не более 20 г.Тип корпуса: КТ-5.Технические условия: аА0.339.513ТУ.
View
Транзистор 2Т208К Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т208К Ni

300771
2,80 BYN
Транзисторы 2Т208К кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,6 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические условия: ЮФ3.365.035 ТУ.
View
Транзистор 2Т830Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т830Б Au

301076
17,20 BYN
Транзисторы 2Т830Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.Корпус транзистора 2Т830А, 2Т830Б, 2Т830В, 2Т830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.Масса транзистора не более 2 г.Тип корпуса: КТ-2-7...
View
Транзистор КТ8158А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ8158А

301523
4,20 BYN
Транзистор КТ8158А кремниевый структуры n-p-n эпитаксиально-планарный составной (транзистор Дарлингтона).  Предназначен для работы в выходных каскадах усилителей низкой частоты, в ключевых и линейных схемах и других узлах и блоках аппаратуры  широкого применения.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Тип прибора указывается в...
View
Транзистор 2П103Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П103Б Au

301624
3,80 BYN
Транзисторы 2П103Б кремниевые диффузионно-планарные полевые с затвором на основе p-n перехода и каналом p-типа.Предназначены для применения во входных каскадах усилителей низкой частоты и постоянного тока с высоким входным сопротивлением.Используются в электронной аппаратуре специального назначения.Транзисторы выпускаются в металлостеклянном корпусе с...
View
Транзистор КТ817Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ817Г

259514
1,45 BYN
Транзисторы КТ817Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях, преобразователях и импульсных устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,7 г.
View
Транзистор КП743Б1
Транзисторы отечественные

Транзистор КП743Б1

301574
1,40 BYN
КП743Б1 мощный вертикальный n-канальный МОП-транзистор предназначен для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом, в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением, схемах управления электродвигателями и других блоках и узлах радиоэлектронной аппаратуры. Зарубежные прототипы –...
View
Транзистор 2Т841Б
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т841Б

300790
8,00 BYN
Транзисторы 2Т841Б кремниевые планарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, мощных преобразователях, линейных стабилизаторах напряжения.Транзисторы 2Т841А, 2Т841Б, 2Т841В выпускаются в металлическом корпусе со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Тип прибора указывается...
View
Транзистор 2Т3130Г9 Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3130Г9 Ni

300920
2,20 BYN
Транзисторы 2Т3130Г9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих низкочастотных усилителей, в высокочастотных усилителях, генераторах, стабилизаторах напряжения герметизированной аппаратуры.Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается в...
View

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.