Транзистор КТ3102ГМ

Транзистор КТ3102ГМ

Артикул: 259818

Транзисторы КТ3102ГМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты

0,72 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
259818
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ3102БМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3102БМ

259815
0,80 BYN
Транзисторы КТ3102БМ эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Транзистор 2SA1284
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1284

302917
3,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор КТ819Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819Г

259520
4,00 BYN
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.

В этой категории 16 товаров:

Транзистор КТ920Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ920Б Au

301234
21,60 BYN
Транзисторы КТ920Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.Используются для работы в бортовой аппаратуре подвижных средств радиосвязи общего назначения.Выпускаются в металлокерамическом...
Транзистор КТ372Б Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ372Б Au

301405
2,40 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 ГГц.Предназначены для применения во входных и последующих каскадах усилителей сверхвысоких частот.
Транзистор 2П829А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2П829А Au

301653
748,00 BYN
Транзисторы 2П829А кремниевые мощные высоковольтные полевые n-канальные.Предназначены для работы во вторичных источниках питания и в другой аппаратуре в узлах и блоках преобразовательных устройств аппаратуры специального назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более...
Транзистор 2Т890А2
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т890А2

300830
6,40 BYN
Транзисторы 2Т890А-2 кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.Тип прибора указывается на корпусе.Тип корпуса: КТ-43 (ТО-218).Основные технические характеристики транзистора 2Т890А-2:• Структура транзистора: n-p-n;• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 120 Вт;•
Транзистор КТ326Б Ni
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ326Б Ni

301348
2,20 BYN
Транзисторы КТ326Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.Используются для работы в составе радиоэлектронной аппаратуры общего назначения.Выпускаются в металло-стеклянном корпусе с гибкими выводами.
Транзистор 2Т998А-2 Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т998А-2 Au

301018
6,40 BYN
Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n.2Т998А предназначен для применения в переключательных и усилительных схемах, в выходных каскадах радиоэлектронной аппаратуры.Выпускается в металлокерамическом корпусе.Масса транзистора не более 20 г.Тип корпуса: КТ-5.Технические условия: аА0.339.513ТУ.
Транзистор КТ117В Au
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ117В Au

312799
13,00 BYN
Структура n-база Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 30 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 0.5…0.7 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 0.2...
Транзистор 2Т809А
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т809А

301056
15,00 BYN
Транзисторы 2Т809А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора без накладного фланца не более 22 г.Масса накидного фланца не более 12 г.Тип корпуса: КТЮ-3-20.Технические условия:...
Транзистор 2Т364В-2Н
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т364В-2Н

300988
2,20 BYN
Транзисторы 2Т364В-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.Бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием.Выпускаются в индивидуальной сопроводительной таре.Тип прибора указывается на сопроводительной таре.Масса...
Транзистор ГТ806А,Б
Транзисторы отечественные

Транзистор ГТ806А,Б

301158
10,00 BYN
ГТ806АТранзисторы германиевые диффузионно-сплавные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы ГТ806А, ГТ806Б, ГТ806В, ГТ806Г, ГТ806Д предназначены для применения в импульсных устройствах, преобразователях и стабилизаторах тока и напряжения.Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.Масса транзистора не более 28 г.Тип корпуса:...
Транзистор КТ926Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ926Б

25,00 BYN
Транзисторы КТ926Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n импульсные.Предназначены для применения в импульсных модуляторах в электронной аппаратуре общего назначения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами и винтом.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Вывод эмиттера маркируется точкой.Тип корпуса: КТ-10.Масса...
Транзистор 2Т203Б Ni ОС
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т203Б Ni ОС

300758
4,20 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.Транзисторы 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 0,5 г.Тип корпуса: КТ-1-7.Технические...
Транзистор 2Т3123А-6
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т3123А-6

300907
2,80 BYN
Транзисторы 2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В-2 и транзисторы КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2бескорпусные кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p транзисторы,выполненные в микроисполнении на керамическом негерметезированном держателе,размеры которого соответствуют корпусу КТ-22-2 по ГОСТ 18472-88,предназначены для применения в линейных, импульсных и ключевых...
Транзистор КТ6115В
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ6115В

301449
0,20 BYN
Транзистор КТ6115В кремниевый биполярный p-n-p, для ключевых и линейных схем, выходных каскадов усилителей НЧ.Предназначен для применения в узлах и блоках аппаратуры широкого применения.Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Маркируется цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора.Масса транзистора не более 0,3 г.Тип корпуса: КТ-26...
Транзистор П214Г
Транзисторы отечественные

Транзистор П214Г

301358
1,80 BYN
Транзисторы П214Г германиевые сплавные структуры p-n-p универсальные.Предназначены для применения в переключающих устройствах, выходных каскадах усилителей низкой частоты, преобразователях постоянного напряжения.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указан на корпусе.Масса транзистора не более 12,5 г, крепежного фланца не...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор 2SA1284
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1284

302917
3,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор КТ819Г
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ819Г

259520
4,00 BYN
Транзисторы кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.Транзисторы КТ819А, КТ819Б, КТ819В, КТ819Г предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.
Транзистор КТ3102БМ
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3102БМ

259815
0,80 BYN
Транзисторы КТ3102БМ эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты.
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.