Микросхема 1407УД3 Au

Микросхема 1407УД3 Au

Артикул: 299483

1407УД3 Au представляют собой малошумящий широкополосный операционный усилитель с регулируемым током управления и применяются в качестве видеоусилителей, чувствительных предусилителей фоторезисторов.

Оптимизированы для работы с источником сигналов от 100 Ом до 10 кОм.
Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.

13,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
299483

Просмотренные товары

Транзистор 2SK301
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK301

304834
6,00 BYN
Тип транзистора: JFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.25 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 55 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 55 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.03 A Максимальная температура канала (Tj): 125 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 400 Ohm
Транзистор AOTF10N60
Полевые транзисторы

Транзистор AOTF10N60

311840
8,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время...
Транзистор 2SA1371
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1371

260028
2,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

В этой категории 16 товаров:

Микросхема 1НТ251 Au желт.подлож.
Микросхемы отечественные

Микросхема 1НТ251 Au желт.подлож.

299732
20,00 BYN
Структура 4 х npn Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В 45 Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45 Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.4 Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30 Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200 Максимальная рассеиваемая...
Микросхема КР140УД5Б
Микросхемы отечественные

Микросхема КР140УД5Б

292859
1,52 BYN
Микросхемы представляют собой операционные усилители средней точности с составными транзисторами (эмиттерными повторителями) на входе, без частотной коррекции. Кроме общего выхода имеют дифференциальные выходы. Содержат 26 интегральных элементов. Корпус К140УД5 (А, Б) типа 301.8-2, масса не более 1,3 г, КР140УД5 (А, Б) — типа 201.14-1, масса не более 1,1...
Микросхема 129НТ1А-1
Микросхемы отечественные

Микросхема 129НТ1А-1

299252
1,60 BYN
Дифференциальная пара включает в себя два согласованных по характеристикам npn транзистора. Транзисторы максимально отделены друг от друга диэлектрической изоляцией и в схеме применения не требуют специального смещения для разделения. Расположение транзисторов на одном кристалле обеспечивает максимальную идентичность характеристик транзисторов, в том...
Микросхема 198НТ2А Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 198НТ2А Au

299719
5,40 BYN
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.Микросхемы 198НТ2А представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.Предназначены для работы в электронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с выводами для монтажа на печатную плату.Маркировка нанесена цифро-буквенным кодом на корпусе...
Микросхема К174УР2
Микросхемы отечественные

Микросхема К174УР2

260761
1,40 BYN
Микросхема представляет собой усилитель промежуточной частоты канала изображения. Предназначена для усиления напряжения промежуточной частоты изображения, синхронного детектирования, предварительного усиления видеосигнала, ключевой автоматической регулировки усиления в телевизионных приемниках черно-белого и цветного изображения. Содержит 165 интегральных...
Микросхема 249ЛП1В Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 249ЛП1В Au

299892
4,80 BYN
Коммутаторы логических сигналов 249ЛП1В, оптоэлекгронные, состоящие из арсенидогаллиевого излучателя, кремниевого фотодиода и интегрального усилителя, обеспечивающего на выходе цифровые уровни напряжения для совместной работы с ТТЛ-микросхемами.Предназначены для передачи цифровых сигналов между узлами аппаратуры при необходимости обеспечения между ними...
Микросхема 1533ИЕ7 Au ОСМ
Микросхемы отечественные

Микросхема 1533ИЕ7 Au ОСМ

299794
6,40 BYN
цифровая микросхема 1533-ей серии, являются триодной логикой с функционалом 4- ех разрядный 2-ный реверсный счетчик синхронного типа и используются в РЭА большой области эксплуатации. Производятся в керамометаллическом корпусе. Модель изделия наносится на металлической части корпуса. Номинальное значение нагрева при эксплуатации с минус 60 по плюс 125oC....
Микросхема 140УД26Б Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 140УД26Б Ni

299514
4,40 BYN
 представляют собой прецизионный малошумящий операционный усилитель с повышенным быстродействием.Изготовлены по совмещенной биполярно-полевой технологии.Предназначены для работы в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в круглом металлостеклянном корпусе с выводами для сквозного монтажа на печатную плату.Маркировка нанесена...
Микросхема 134ЛА2Б Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 134ЛА2Б Au

299388
7,00 BYN
представляют логический элемент 8И-НЕ.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре и оборудовании специального назначения.Выпускаются в прямоугольном металлостеклянном корпусе с двусторонним расположением выводов.Маркировка микросхем и схема соединения электродов с выводами указывается на корпусе.Содержит 9 интегральных элементов
Микросхема 159НТ101В Au ОСМ
Микросхемы отечественные

Микросхема 159НТ101В Au ОСМ

299544
16,20 BYN
Микросхема 159НТ101В является дифференциальной парой и включает в себя два согласованных по характеристикам npn транзистора. Транзисторы максимально отделены друг от друга диэлектрической изоляцией и в схеме применения не требуют специального смещения для разделения. Расположение транзисторов на одном кристалле обеспечивает максимальную идентичность...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.