Транзисторы

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1566

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Граничная частота коэффициента передачи тока...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1570

303186

47,60 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1587

303187

17,20 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1588

303188

21,60 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1588

275082

7,96 BYN

Корпус TO-3PВес 5 гPNP, 150V, 10A, 80W, 55MHz

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1624 to3p

292822

11,20 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1625

303190

13,60 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1625

275083

9,20 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1626

303191

9,80 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1647

260044

14,00 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1686

303192

11,00 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 110...

Полевые транзисторы

Транзистор 2SB3942

311869

4,80 BYN

Тип транзистора: MOSFET Полярность: NP Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.1 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.025...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB3965D

293069

16,00 BYN

P/N-MOS 40V, -4.5/5.2A, 2.0W

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB544

275084

0,60 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB546A

303193

2,20 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB562C

303194

1,60 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB564A

303195

1,20 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB595

303196

7,60 BYN

Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB598

275085

1,96 BYN

TO92

Полевые транзисторы

Транзистор 2SB6010D

295038

4,00 BYN

N-Channel 60-V (D-S) MOSFET,logic enhancement mode,Id=12A,

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB624

264630

1,52 BYN

PNP Transistor -30V,700Ma,0.2W,Silicon Epitaxial Planar

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB631

275086

2,52 BYN

Корпус TO-126Вес 0,8 гPNP 120V, 1A, 8W, 110MHz (Comp. 2SD600K)

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB643-R

303198

2,20 BYN

Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB644

275087

8,76 BYN

Корпус SC-71Вес 0,4 гPNP, 50V, 500mA, 600mW, 100MHz

Показано 649-672 из 6885