Транзистор 2SB624

Транзистор 2SB624

Артикул: 264630

PNP Transistor -30V,700Ma,0.2W,Silicon Epitaxial Planar

1,52 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
264630
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3310
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3310

303758
7,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 12
View
Транзистор 2SC1027Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1027Y

303408
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Статический коэффициент передачи тока...
View
Транзистор 2SC3510
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3510

275383
2,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 4500 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50 TO92
View
Транзистор BC636 to92
Биполярные транзисторы

Транзистор BC636 to92

293070
2,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC1971
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1971

303522
10,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 36 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 18 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SD2165
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2165

304528
13,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BU2520AX orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2520AX orig

275218
9,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SB1091
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1091

303122
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
View
Транзистор MJE13003 to92
Биполярные транзисторы

Транзистор MJE13003 to92

293311
0,72 BYN
Наименование производителя: MJE13003 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A...
View
Транзистор 15022
Биполярные транзисторы

Транзистор 15022

274931
21,56 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 200 В Напряжение коллектор-база, не более: 350 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 16 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 250 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 60 Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.