Транзисторы

Транзистор N5401
Биполярные транзисторы

Транзистор N5401

275771
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор N5962
Биполярные транзисторы

Транзистор N5962

275772
0,80 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 45 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 700 до 1400 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц TO92
Транзистор NDS8435
Полевые транзисторы

Транзистор NDS8435

312020
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 7.9 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор NGTB30N135IHRWG
Биполярные транзисторы

Транзистор NGTB30N135IHRWG

311728
50,40 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 197 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1350 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2.3 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Емкость...
Транзистор NGTB40N120S3WG
Биполярные транзисторы

Транзистор NGTB40N120S3WG

311729
48,80 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 535 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор NJW0281G to3p
Биполярные транзисторы

Транзистор NJW0281G to3p

293330
42,40 BYN
Наименование производителя: NJW0281G Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A...
Показано 5425-5448 из 6884
Транзисторы
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.