Транзистор NCE01P30K

Транзистор NCE01P30K

Артикул: 302349

NCE01P30K использует передовую траншейную технологию и конструкцию для обеспечения превосходного RDS(ON) с низким зарядом затвора. Он может быть использован в самых разнообразных областях применения. Это ESD-защита.

7,52 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

VDS=-100V,ID =-30A RDS(ON) <58mΩ@ VGS=-10V (Тип:50mΩ) ● Сверхвысокая плотная клеточная конструкция ● Передовая технология траншейного технологического процесса ● Надежный и прочный ● Конструкция ячейки высокой плотности для сверхнизкого сопротивления включению

302349

Просмотренные товары

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор FDS4470
Полевые транзисторы

Транзистор FDS4470

276326
1,76 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 12.5 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...
Транзистор AO4490
Полевые транзисторы

Транзистор AO4490

311831
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.8 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 16 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор 2SK3532
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK3532

292985
14,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 6 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 8 ns Выходная емкость (Cd):...
Транзистор J476
Полевые транзисторы

Транзистор J476

276554
13,60 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 33.3 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 16 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 25 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Транзистор 2SK2538
Полевые транзисторы

Транзистор 2SK2538

304796
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 20 ns Выходная емкость (Cd): 60 pf...
Транзистор IRF9333
Полевые транзисторы

Транзистор IRF9333

276423
4,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 9.2 A Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0194 Ohm Тип корпуса: SO8

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.