Транзистор MJ15026

Транзистор MJ15026

Артикул: 312629
  • Структура - p-n-p
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -250 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: -400 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V
  • Ток коллектора, не более: -16 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 250 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 60
  • Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
  • Корпус: TO-3
8,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
312629

Просмотренные товары

Транзистор CMP100N03
Полевые транзисторы

Транзистор CMP100N03

311874
6,20 BYN
Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 180 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 100 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Выходная емкость (Cd): 1300 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора...
Нихром Х20Н80 0,3 мм 200 г ( 380 м )
Нихром Х20Н80 на катушках

Нихром Х20Н80 0,3 мм 200 г ( 380 м )

13366
134,00 BYN
Термостойкий прецизионный сплав нихром. Он применяется при производстве проволоки с высоким показателем электрического сопротивления. Прокат предназначен для монтажа печного оборудования, изготовления нагревательных элементов. Каждому температурному режиму соответствует проволока определённой марки. Отличие марок нихрома друг от друга – в долях легирующих...
Нихром Х20Н80 0,2 мм 200 г ( 760 м )
Нихром Х20Н80 на катушках

Нихром Х20Н80 0,2 мм 200 г ( 760 м )

12510
143,00 BYN
Термостойкий прецизионный сплав нихром. Он применяется при производстве проволоки с высоким показателем электрического сопротивления. Прокат предназначен для монтажа печного оборудования, изготовления нагревательных элементов. Каждому температурному режиму соответствует проволока определённой марки. Отличие марок нихрома друг от друга – в долях легирующих...
Микросхема 533ИР9 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 533ИР9 Au

300187
17,20 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии.Микросхема 533ИР9 представляет собой восьмибитовый сдвиговый регистр с параллельным вводом информации.Предназначены для применения в аппаратуре специального назначения.Содержит 412 интегральных элементов.Корпус типа 402.16-32, масса не более 1,1 г.Напряжение питания: 5 ±10% В.Рабочая...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3680
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3680

275392
9,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1693
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1693

260032
20,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SB595
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB595

303196
7,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1047
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1047

282627
10,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC1959Y to-92
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1959Y to-92

264739
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BC817/T1
Биполярные транзисторы

Транзистор BC817/T1

303676
0,12 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 600 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: SOT-23
Транзистор 2SA1300
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1300

264699
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.72 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2A1015
Биполярные транзисторы

Транзистор 2A1015

274965
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB1438 (R)
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1438 (R)

264681
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 165 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 15 MHz...
Транзистор 2SC143T
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC143T

303476
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 225...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.