Транзистор 2SD1762

Транзистор 2SD1762

Артикул: 304383

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 70 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25

2,20 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304383

Просмотренные товары

Транзистор KTD1414
Биполярные транзисторы

Транзистор KTD1414

311609
5,20 BYN
Наименование производителя: KTD1414 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2000 Корпус транзистора: ISO220
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3152
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3152

303665
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистора PZT2907AT1G
Биполярные транзисторы

Транзистора PZT2907AT1G

304904
0,56 BYN
Транзисторы и сборки биполярные кол-во в упаковке: 1000, корпус: PGSOT2234, АБ TRANSISTOR, PNP, SOT-223; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: PNP; Voltage, Vceo: 60V; Current, Ic Continuous a Max: 500mA; Voltage, Vce Sat Max: 0.4V; Power Dissipation: 1.5W; Hfe, Min: 50; ft, Typ: 200MHz; Case Style: SOT-223; Termination Type: SMD; Complementary...
View
Транзистор 2SB774
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB774

312453
1,12 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -25 В Напряжение коллектор-база, не более: -30 В Напряжение эмиттер-база, не более: -15 V Ток коллектора, не более: -0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 219 до 460 Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус:...
View
Транзистор 2SD1650
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1650

292922
4,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA1249
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1249

290263
2,40 BYN
Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 16 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 15 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C Граничная...
View
Транзистор 2SD1554
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1554

292919
7,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SD882 to126
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD882 to126

292942
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SB1322AB
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1322AB

303143
5,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 165...
View
Транзистор A949
Биполярные транзисторы

Транзистор A949

275029
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор BFG67 ( V3W )
Биполярные транзисторы

Транзистор BFG67 ( V3W )

275198
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
View
Транзистор 2SC1573A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1573A

303492
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.065 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор TIP35C to247
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP35C to247

293434
11,20 BYN
Наименование производителя: TIP35C Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 90 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.