Транзистор 2SD1994

Транзистор 2SD1994

Артикул: 304505

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

2,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304505

Просмотренные товары

Транзистор 5504EDG dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор 5504EDG dpak (to252)

293344
5,60 BYN
Наименование прибора: P5504EDG Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 41 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 40 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 21 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Время нарастания (tr): 9.7 ns...
Микросхема 574УД4А Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 574УД4А Au

300546
12,80 BYN
Микросхемы 574УД4А представляют собой быстродействующий операционный усилитель с малыми входными токами.Предназначены для построения схем выборки и хранения, высокоомных широкополосных усилителей и компараторов, широкополосных генераторов с большим выходным напряжением.Не имеют внутренней частотой коррекции.Предназначены для работы в электронной...
Микросхема 555КП14 "5"
Микросхемы отечественные

Микросхема 555КП14 "5"

300202
5,40 BYN
микроминиатюрное электронное устройство, все или часть элементов которого нераздельно связаны конструктивно и соединены между собой электрически.По своему функциональному назначению интегральные микросхемы делятся на две основные группы: аналоговые, или линейно-импульсные, и логические, или цифровые, микросхемы. Аналоговые микросхемы предназначаются для...
Микросхема К237ХА3
Микросхемы отечественные

Микросхема К237ХА3

313440
1,00 BYN
Номинальное напряжение питания . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5 ВНапряжение:    на выводе 4 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,06…0,12 В    на выводе 6 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0,2…1 ВТок потребления . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....
Транзистор D2007
Биполярные транзисторы

Транзистор D2007

275640
1,16 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SB897
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB897

275095
30,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор D2599
Биполярные транзисторы

Транзистор D2599

275669
7,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3.5 A Граничная частота коэффициента передачи...
Транзистор BU941ZPFI
Биполярные транзисторы

Транзистор BU941ZPFI

275254
9,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 350 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BD650
Биполярные транзисторы

Транзистор BD650

312585
16,00 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -100 В Напряжение коллектор-база, не более: -120 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 62.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
Транзистор BU2520DF orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2520DF orig

275219
10,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB953
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB953

303267
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
Транзистор 2SB1186A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1186A

312450
4,48 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В Напряжение коллектор-база, не более: -160 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -1.5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 20 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 200 Граничная частота коэффициента передачи тока: 50 МГц Корпус:...
Транзистор 2N3440
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N3440

264796
3 999 999,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200...
Транзистор 2SC5244
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5244

292891
17,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор 2SD1682
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1682

304377
13,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1292
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1292

304273
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20 Корпус...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.