Транзистор 2SD1663

Транзистор 2SD1663

Артикул: 304373

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 15

11,40 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
304373

Просмотренные товары

Микросхема 588ВУ2Б-0001 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 588ВУ2Б-0001 Au

300583
21,60 BYN
это цифровая микросхема планарной технологии КМОП, функциональное назначение микропрограмная управляющая память и используются в РЭА в большой области эксплуатации совместно с микросхемами 588ВС2А(Б), 588ВГ1 в процессоре микро-ЭВМ с системой команд и интерфейсом микро-ЭВМ /Электроника-60/. В аппаратуре с жестко ограниченным энергопотреблением и...
Микросхема 1145ЕН2А Au (51)
Микросхемы отечественные

Микросхема 1145ЕН2А Au (51)

299228
16,20 BYN
представляют собой стабилизатор напряжения с регулируемым выходным напряжением 3-12В.Изготовлены по биполярной технологии и используются в источниках вторичного электропитания радиоэлектронной аппаратуры специального назначения.Выпускаются в плоском металлокерамическом корпусе с двухсторонним расположением выводов для монтажа на поверхность печатной...
Транзистор 2SC2987A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2987A

303650
27,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 140

В этой категории 16 товаров:

Транзистор MMBT4403
Биполярные транзисторы

Транзистор MMBT4403

275737
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC4423
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4423

304029
9,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
Транзистор 2SA723R5X
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA723R5X

260037
2,12 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2N2218 Au
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N2218 Au

303485
5,60 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.8 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 120 Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц Корпус: TO-39
Транзистор BUY69A
Биполярные транзисторы

Транзистор BUY69A

275284
9,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
Транзистор 2SC2001
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2001

303526
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.7 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5270A TO3PF
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5270A TO3PF

312509
18,40 BYN
Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1600 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная...
Транзистор 2SD1764
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1764

304384
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 2500
Транзистор 2SC5803
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5803

275550
5,36 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC1959Y to-92
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1959Y to-92

264739
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB1132
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1132

303127
1,20 BYN
Маркировка: BAP_BAQ_BAR Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 32 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная...
Транзистор 2SC3997
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3997

292870
18,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.