Транзистор BCR158E6327HTSA1

Транзистор BCR158E6327HTSA1

Артикул: 303940

Двухполюсный плоскостной транзистор

0,56 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Номинальное Напряжение (DC)
-50.0 V
Номинальный Ток
-100 mA
Полярность
PNP
Рассеяние Мощности
0.2 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
50 V
Непрерывный ток коллектора
100mA
hFE Min
70 @5mA, 5V
Максимальная входная мощность
200 mW
Рабочая температура (Макс)
150 ℃
Рабочая температура (мин)
-65 ℃
Gain Bandwidth
200 MHz
Рассеиваемая Мощность (Макс)
200 mW
пакет
Стиль Монтажа
Surface Mount
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
SOT-23-3
размеры
Длина
2.9 mm
Ширина
1.3 mm
Высота
0.9 mm
Корпус/Пакет
SOT-23-3
303940

Просмотренные товары

Транзистор 2SJ516
Полевые транзисторы

Транзистор 2SJ516

304672
17,20 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: P Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 250 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6.5 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
Транзистор CEP703AL
Полевые транзисторы

Транзистор CEP703AL

276303
3,80 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 30 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 3 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 40 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Общий заряд...

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SB1383
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1383

303175
37,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 25 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5001
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5001

304084
21,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор BU2525DX orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2525DX orig

275226
10,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 13.5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор 2SC1674
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1674

303499
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор TT2062
Биполярные транзисторы

Транзистор TT2062

275816
4,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 18 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1091R
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1091R

312439
2,80 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В Напряжение коллектор-база, не более: -300 В Напряжение эмиттер-база, не более: -8 V Ток коллектора, не более: -0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.4 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 до 90 Граничная частота коэффициента передачи тока: 60 МГц Корпус:...
Транзистор 2SC2603
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2603

275336
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100...
Транзистор 2SC5591
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5591

275530
16,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.