Транзистор DTC114EKAT146

Транзистор DTC114EKAT146

Артикул: 303854

npn 50V 50mA

0,16 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303854

Просмотренные товары

Симистор ТС112-16-12-6 У2
Симисторы отечественные

Симистор ТС112-16-12-6 У2

302921
7,20 BYN
Тиристор симметричный низкочастотный штыревого исполнения.Предназначен для работы в преобразовательных устройствах, а также в цепях постоянного и переменного тока различных силовых установок.Выпускаются в металлостеклянном корпусе с жестким выводом.Максимально допустимый действующий ток - 16 АПовторяющееся импульсное напряжение в закрытом состоянии и...
View
Транзистор 2Т921А Au
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т921А Au

300858
23,80 BYN
Транзисторы 2Т921А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные линейные.Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности, стабилизаторах и преобразователях напряжения.Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.Тип прибора указывается на корпусе.Масса транзистора не более 6,5 г.Тип корпуса:...
View
Транзистор КТ6117А
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ6117А

259825
1,67 BYN
Транзистор кремниевый биполярный n-p-n.КТ6117А предназначен для работы в НЧ-устройствах аппаратуры широкого применения с малым уровнем шумов и повышенным напряжением питания, для электронных систем телефонной связи.Корпусное исполнение: корпус КТ-26 (ТО-92).
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SB873
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB873

303259
4,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 165...
View
Транзистор 2SC3423-Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3423-Y

303768
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BF979
Биполярные транзисторы

Транзистор BF979

275189
0,56 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.14 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3229
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3229

275361
2,16 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 95 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45 TO220F
View
Транзистор 2SB1391
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1391

303176
13,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3377
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3377

303765
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 45 Корпус...
View
Транзистор 2SD1669
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1669

260194
13,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC3834
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3834

311544
5,20 BYN
Наименование производителя: 2SC3834 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 135 °C Статический...
View
Транзистор A1386A
Биполярные транзисторы

Транзистор A1386A

274997
42,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3258
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3258

303748
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200...
View
Транзистор NJW0281G to3p
Биполярные транзисторы

Транзистор NJW0281G to3p

293330
42,40 BYN
Наименование производителя: NJW0281G Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A...
View
Транзистор 2SB731P
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB731P

303204
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор D1223
Биполярные транзисторы

Транзистор D1223

275577
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.