Транзистор BD901

Транзистор BD901

Артикул: 303743
  • Структура - n-p-n
  • Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 100 В
  • Напряжение коллектор-база, не более: 100 В
  • Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V
  • Ток коллектора, не более: 8 А
  • Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 70 Вт
  • Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 750
  • Корпус: TO-220
11,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303743

Просмотренные товары

Микросхема 538УН3 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 538УН3 Au

300426
14,60 BYN
Микросхемы 538УН3 представляют собой малошумящий широкополосный усилитель с рабочей частотой до 3 МГц, оптимизированный для работы с низкоомными источниками (генераторами) сигналов (от сотен Ом до единиц кОм), предназначены для применения в качестве предварительного усилителя воспроизведения кассетного магнитофона высшего класса и в качестве усилителя...
Микросхема 521СА301 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 521СА301 Au

300050
21,60 BYN
Микросхемы 521СА301 представляют собой компаратор напряжения.Предназначены для применения в системах обработки информации, дискриминаторах амплитуды и скорости нарастания импульсов, индикаторах момента превышения сигналом определенного уровня, в пороговых и пиковых детекторах, автогенераторах, усилителях считывания сигналов магнитной памяти, сравнивающих...
Микросхема 533ЛН2 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 533ЛН2 Au

300303
6,40 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии.Микросхема 533ЛН2 представляет собой шесть инверторов с открытым коллекторным выходом.Содержит 42 интегральных элемента.Корпус типа 401.14-4, масса не более 0,45 г.Напряжение питания: 5 ±10% В.Рабочая температура: -60...+125°С.Технические условия: бК0.347.141ТУ14/02.

В этой категории 16 товаров:

Транзистор TIP29C
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP29C

275809
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5030F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5030F

304087
15,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор IRGPC40MD2
Биполярные транзисторы

Транзистор IRGPC40MD2

311725
27,00 BYN
Предварительный технический паспорт PD - 9.1084 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ IRGPC40MD2, Рассчитанный НА короткое замыкание СО СВЕРХБЫСТРЫМ МЯГКИМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ, Характеристики IGBT-ДИОДА C VCE = 600 В  Номинальное короткое замыкание -10 с при 125 ° C, V = 15 В GE Рейтинг потерь при переключении включает все "хвостовые" потери  Мягкие...
Транзистор 2SC5686
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5686

304160
24,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 2000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC1624Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1624Y

303495
5,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC4742
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4742

304061
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25 Корпус...
Транзистор 2SB1587
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1587

303187
17,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC4460
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4460

292874
9,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 800 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Граничная частота коэффициента передачи...
Транзистор 2SD2589
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2589

304562
14,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5489
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5489

304147
34,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 16 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 8 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 1.5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3779
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3779

275395
2,16 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1415
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1415

260189
6,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.