Транзистор 2N3439 Ni

Транзистор 2N3439 Ni

Артикул: 303484

npn 350V 1A 15MHz h21e>30

4,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
303484

Просмотренные товары

Микросхема 171УВ2 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 171УВ2 Ni

299587
37,80 BYN
Микросхема 171УВ2 представляет собой видеоусилитель для блоков НГМД.Содержит 27 интегральных элементов.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в круглом металлостеклянном корпусе с вертикальным расположением выводов для монтажа в отверстия печатной платы.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View
Транзистор FQPF4N90C (4N90C)
Полевые транзисторы

Транзистор FQPF4N90C (4N90C)

264641
7,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 47 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Микросхема 564ЛC1В Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ЛC1В Ni

300343
2,20 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП. представляет собой три логических элемента 3И-ИЛИ.Содержит 96 интегральных элемента.Корпус типа 401.14-5, масса не более 1 г.Технические условия: АЕЯР.431200.136-29 ТУ.Рабочая температура: -60...+125°С.Ток потребления: не более 0,12 мА.Напряжение питания: 4,2-13,5 В. Минимальный срок сохраняемости микросхем при их...
View
Микросхема 133ЛА15 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 133ЛА15 Au

299310
8,00 BYN
Микросхема интегральная полупроводниковая (транзисторно-транзисторная логика). Представляет собой элемент сопряжения МОП ЗУ – ТТЛ (четыре логических элемента «2И-НЕ»). Предназначена для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Диапазон температур • диапазон рабочих температур от - 60 до + 125 °С Корпусное исполнение • корпус...
View
Транзистор FZT751T sot223
Биполярные транзисторы

Транзистор FZT751T sot223

293126
2,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SB1109
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1109

303124
16,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC1845P
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1845P

303510
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55...
View
Транзистор N4403
Биполярные транзисторы

Транзистор N4403

275769
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC2579
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2579

303616
8,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 10 MHz...
View
Транзистор 2SD1414
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1414

304305
4,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SD1153
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1153

304253
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC2921
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2921

275347
17,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 18 MT-200
View
Транзистор 2SC5407
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5407

275482
16,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3330
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3330

275370
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.