Транзистор BC547C

Транзистор BC547C

Артикул: 275108

NPN, 50/45V, 0,1A, 0,5W, 200MHz, 150*C hfe_C=420-800

0,32 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275108
Новый товар

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ503Е
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ503Е

301427
0,60 BYN
Транзисторы КТ503Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзистор КТ3107Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3107Б

301193
0,52 BYN
Транзисторы КТ3107Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта маркировки:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3225Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3225Y

303689
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125...
Транзистор BD675
Биполярные транзисторы

Транзистор BD675

275147
5,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC5857
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5857

275553
7,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 55 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1407
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1407

304303
6,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1289
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1289

304272
30,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Транзистор D1796
Биполярные транзисторы

Транзистор D1796

275620
4,76 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SD1111
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1111

292909
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 21193G
Биполярные транзисторы

Транзистор 21193G

274942
17,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор TT2206 to3pm
Биполярные транзисторы

Транзистор TT2206 to3pm

293446
6,00 BYN
Маркировка: TT2206 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 95 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1600 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура...
Транзистор 2SD2066
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2066

304515
24,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Транзистор 15022
Биполярные транзисторы

Транзистор 15022

274931
21,56 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 200 В Напряжение коллектор-база, не более: 350 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 16 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 250 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 60 Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
Транзистор 2N2218 Au
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N2218 Au

303485
5,60 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.8 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 до 120 Граничная частота коэффициента передачи тока: 250 МГц Корпус: TO-39

Покупатели этого товара так же приобрели:

Транзистор КТ503Е
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ503Е

301427
0,60 BYN
Транзисторы КТ503Е кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные, средней мощности.Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных, дифференциальных и импульсных усилителях, преобразователях.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Транзистор КТ3107Б
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ3107Б

301193
0,52 BYN
Транзисторы КТ3107Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 1 кГц.Предназначены для применения в усилителях, генераторах низкой и высокой частот, переключающих устройствах.Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.Транзисторы имеют два варианта маркировки:
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.