Транзистор MJ21193G

Транзистор MJ21193G

Артикул: 302984

Двухполюсный плоскостной транзистор

63,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
технические
Частота
4 MHz
Номинальное Напряжение (DC)
-250 V
Номинальный Ток
-16.0 A
Количество Стежков
3
Полярность
PNP, P-Channel
Рассеяние Мощности
250 W
Пробивное Напряжение (Коллектор-Эмиттер)
250 V
Тепловое Сопротивление
0.7℃/W (RθJC)
Непрерывный ток коллектора
16A
hFE Min
25 @8A, 5V
hFE Max
75
Максимальная входная мощность
250 W
Усиление постоянного тока (hFE)
75
Рабочая температура (Макс)
200 ℃
Рабочая температура (мин)
-65 ℃
Рассеиваемая Мощность (Макс)
250000 mW
пакет
Стиль Монтажа
Through Hole
Количество Выводов
3
Корпус/Пакет
TO-204-2
размеры
Длина
39.37 mm
Ширина
26.67 mm
Высота
8.51 mm
Корпус/Пакет
TO-204-2
физическое
Материал
Silicon
Рабочая Температура
-65℃ ~ 200℃
302984

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SD1861
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1861

304481
17,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20000
Транзистор 2SA1615
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1615

303016
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1162
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1162

302884
0,80 BYN
Маркировка: SG_SO_SY Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота...
Транзистор 2SC5239
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5239

304115
7,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 550 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB1565
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1565

303185
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Граничная частота коэффициента передачи тока...
Транзистор 2SB897
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB897

275095
30,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор D1010
Биполярные транзисторы

Транзистор D1010

275570
1,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60...
Транзистор 2SA1624
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1624

312445
5,60 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -300 В Напряжение коллектор-база, не более: -300 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 320 Граничная частота коэффициента передачи тока: 70 МГц Корпус:...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.