Транзистор TIP126

Транзистор TIP126

Артикул: 302506
3,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 

Тип материала:Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Корпус транзистора: TO220 Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000

Корпус транзистора: TO220

302506

Просмотренные товары

Латунь пруток ЛС 59-1 п/тв 32 х 200 мм
Латунь пруток

Латунь пруток ЛС 59-1 п/тв 32 х 200 мм

13935
142,52 BYN
ЛС59-1  имеет химический состав ЛС59-1 на 57-60 % состоит из меди, 37,05-42,2 % цинка, 0,8-1,9 свинца и до 0,75 % примесей. Наряду со сплавом Л63 — ЛС59-1 обрёл наиболее широкое применение среди латуней обрабатываемых давлением. Согласно классификации, наш многокомпонентный сплав — обрабатываемый давлением, но на практике он применяется чаще в качестве...
Латунь пруток ЛС59-1 п/тв-1 18 х 1000 мм
Латунь пруток

Латунь пруток ЛС59-1 п/тв-1 18 х 1000 мм

10973
196,00 BYN
ЛС59-1  имеет химический состав ЛС59-1 на 57-60 % состоит из меди, 37,05-42,2 % цинка, 0,8-1,9 свинца и до 0,75 % примесей. Наряду со сплавом Л63 — ЛС59-1 обрёл наиболее широкое применение среди латуней обрабатываемых давлением. Согласно классификации, наш многокомпонентный сплав — обрабатываемый давлением, но на практике он применяется чаще в качестве...
Латунь пруток ЛС 59-1 п/тв 60 х 1000 мм
Латунь пруток

Латунь пруток ЛС 59-1 п/тв 60 х 1000 мм

19202
1 820,52 BYN
ЛС59-1  имеет химический состав ЛС59-1 на 57-60 % состоит из меди, 37,05-42,2 % цинка, 0,8-1,9 свинца и до 0,75 % примесей. Наряду со сплавом Л63 — ЛС59-1 обрёл наиболее широкое применение среди латуней обрабатываемых давлением. Согласно классификации, наш многокомпонентный сплав — обрабатываемый давлением, но на практике он применяется чаще в качестве...
Модуль детектора датчика движения SR602 Mini...
Датчики

Модуль детектора датчика движения SR602 Mini пироэлектрический

306858
13,20 BYN
SR602 Mini - модуль детектора датчика движения пироэлектрический инфракрасный сенсорный выключатель с высокой чувствительностью. Этот модуль обладает быстрой реакцией, небольшим статическим энергопотреблением, небольшим размером, прост в установке. Он используется для индукционных ламп, сигнализации, безопасности, контроля доступа, сельского хозяйства,...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3194
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3194

303680
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.36 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 550 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20 Корпус...
Транзистор NGTB40N120S3WG
Биполярные транзисторы

Транзистор NGTB40N120S3WG

311729
48,80 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 535 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1200 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 Максимальная температура перехода (Tj): 175 Время...
Транзистор 2SC103M
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC103M

303457
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор ST2009DFX
Биполярные транзисторы

Транзистор ST2009DFX

275795
7,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 58 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC4004
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4004

275406
2,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35 TO220F
Транзистор 2SC4107
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4107

304004
21,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1885
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1885

304488
12,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3030
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3030

275348
13,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1012
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1012

292792
2,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125...
Транзистор BD676
Биполярные транзисторы

Транзистор BD676

275148
1,16 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор MJ11016 to3
Биполярные транзисторы

Транзистор MJ11016 to3

293307
23,00 BYN
Наименование производителя: MJ11016 Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.