Транзистор MJE15035 to220

Транзистор MJE15035 to220

Артикул: 293319

Наименование производителя: MJE15035

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 350 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100

Корпус транзистора: TO220

14,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293319

Просмотренные товары

Транзистор GT50J325 2-21f2c
Транзисторы IGBT

Транзистор GT50J325 2-21f2c

266548
26,00 BYN
Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 240 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 2 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 Максимальная температура перехода (Tj): 150
View
Транзистор КТ6127Ж
Транзисторы отечественные

Транзистор КТ6127Ж

301454
1,00 BYN
Транзисторы КТ6127Ж кремниевые эпитаксиально-планарные биполярные со статической индукцией структуры p-n-p переключательные.Предназначены для применения в переключателях в бесконтактных коммутирующих устройствах, в схемах управления электродвигателями, в быстродействующих ключевых схемах с низким напряжением насыщения, в тахометрах для автомобилей, в реле...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор BUX84
Биполярные транзисторы

Транзистор BUX84

303852
3,00 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 400 В Напряжение коллектор-база, не более: 800 В Напряжение эмиттер-база, не более: 10 V Ток коллектора, не более: 2 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 30 Граничная частота коэффициента передачи тока: 20 МГц Корпус: TO-220
View
Транзистор 2SA958
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA958

303076
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2N6650
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N6650

303463
8,00 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -80 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -10 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 100 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 до 20000 Корпус: TO-3
View
Транзистор 2SC1953-S
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1953-S

303518
8,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2N3904 to-92
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N3904 to-92

264718
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC5244
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5244

275465
11,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 30 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор 2N5551
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5551

259995
0,35 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор 2SA1242-Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1242-Y

302904
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 35 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 120...
View
Транзистор 2SC3680
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3680

303784
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.