Транзистор 2SD2025

Транзистор 2SD2025

Артикул: 260206

NPN Darl, 100V, 8A, 30W, B=1k-20k (Comp. 2SB1344)

4,40 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
260206
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор IRF1407
Полевые транзисторы

Транзистор IRF1407

259862
11,00 BYN
ярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 330 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 75 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 130 A Общий заряд затвора (Qg): 160 nC Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0078 Ohm Тип корпуса: TO220AB
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3611
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3611

303781
4,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 300 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 110 Корпус...
View
Транзистор 2SC5148
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5148

292887
9,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Граничная частота коэффициента передачи...
View
Транзистор 2SC2921
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2921

303646
40,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 30 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 18
View
Транзистор 2SD2495
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2495

304547
9,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 110 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Граничная частота коэффициента передачи...
View
Транзистор 2SC3616
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3616

264764
2,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 800
View
Транзистор MJ15025 to3
Биполярные транзисторы

Транзистор MJ15025 to3

293309
39,00 BYN
Наименование производителя: MJ15025 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 250 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 400 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A...
View
Транзистор SGT40N60NPFD
Биполярные транзисторы

Транзистор SGT40N60NPFD

311732
31,00 BYN
мощные БТИЗ (IGBT) транзисторы в корпусе TO-3P производства компании Silan Microelectronics. Используют технологию Field Stop IGBT, обеспечивают оптимальную производительность. Применяются в сварочных инверторах китайского производства, аппаратах индукционного нагрева, импульсных источниках питания, в блоках коррекции коэффициента мощности
View
Транзистор 2SA2222
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA2222

303049
4,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор BUL39D
Биполярные транзисторы

Транзистор BUL39D

311590
8,00 BYN
Наименование производителя: BUL39D Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A...
View
Транзистор BUV46
Биполярные транзисторы

Транзистор BUV46

275275
1,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 85 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10 TO220
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.