Транзистор BUH515DX isowatt218

Транзистор BUH515DX isowatt218

Артикул: 293086

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10

18,00 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
293086

Просмотренные товары

Микросхема 574УД2В Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 574УД2В Au

300545
10,80 BYN
Микросхемы изготовлены по совмещенной биполярно-полевой технологии (BIFET).Микросхемы 574УД2В представляют собой сдвоенный операционный усилитель средней точности с большим входным сопротивлением.Применяются для создания активных фильтров, повторителей, интеграторов, суммирующих усилителей, схем дискретизации, входных усилителей датчиков различных...
Микросхема 533ЛП3 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 533ЛП3 Au

300304
7,00 BYN
Цифровая микросхема серии ТТЛ изготовлена по биполярной технологии.Микросхема 533ЛП3 представляет собой 3 логических элемента мажоритарной логики два из трех 2-2-2-И-3ИЛИ-НЕ.Предназначены для применения в аппаратуре специального назначения.Содержит 75 интегральных элементов.Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,65 г.Напряжение питания: 5 ±10% В.Рабочая...
Транзистор A1746
Биполярные транзисторы

Транзистор A1746

275012
9,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SD1577
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1577

304328
8,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC4004
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4004

275406
2,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35 TO220F
Транзистор BD245A
Биполярные транзисторы

Транзистор BD245A

260108
13,00 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 60 В Напряжение коллектор-база, не более: 70 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 80 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 40 Граничная частота коэффициента передачи тока: 3 МГц...
Транзистор 2N5583 Ni
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N5583 Ni

303477
84,00 BYN
Структура npn Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-база 30 В Максимально допустимое (импульсное) напряжение коллектор-эмиттер 30 В Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база 3 В Максимально допустимый постоянный(импульсный) ток коллектора 500mA Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора без теплоотвода(с...
Транзистор BUV48B
Биполярные транзисторы

Транзистор BUV48B

275277
7,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC1507
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1507

303490
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB940
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB940

303266
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB1016
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1016

303120
13,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор MMBT4403
Биполярные транзисторы

Транзистор MMBT4403

275737
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор TIP33C
Биполярные транзисторы

Транзистор TIP33C

294935
7,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1063
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1063

312511
11,20 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 50 В Напряжение коллектор-база, не более: 60 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 7 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 60 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 70 до 280 Граничная частота коэффициента передачи тока: 10 МГц
Транзистор 2SC3631
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3631

275388
2,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.