Транзистор ST2009DFX

Транзистор ST2009DFX

Артикул: 275795

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 58 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4.5

ISOWATT218

7,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275795
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор BF960
Биполярные транзисторы

Транзистор BF960

275184
1,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 0.8 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор 2SC5339
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5339

304125
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Граничная частота коэффициента передачи...
Транзистор 2SD871
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD871

304644
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1196
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1196

304257
4,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 110 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC2979
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2979

303648
7,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор N5962
Биполярные транзисторы

Транзистор N5962

275772
0,80 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 45 В Напряжение эмиттер-база, не более: 7 V Ток коллектора, не более: 0.05 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 700 до 1400 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц TO92
Транзистор 15023G
Биполярные транзисторы

Транзистор 15023G

274932
21,56 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -200 В Напряжение коллектор-база, не более: -350 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -16 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 250 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 15 до 60 Граничная частота коэффициента передачи тока: 4 МГц
Транзистор 2SD965R to92
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD965R to92

292943
0,80 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 20 В Напряжение коллектор-база, не более: 40 В Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.75 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 340 до 600 Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92
Транзистор 2SC5480
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5480

292896
17,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 4
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.