Транзистор D471

Транзистор D471

Артикул: 275690

Корпус TO-92
Вес 0,4 г
NPN 40V, 1A, 0.8W, 130MHz (Comp. 2SB564A)

0,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275690
Новый товар

Просмотренные товары

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3330
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3330

275370
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1909
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1909

292805
14,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 50
Транзистор 2SC4804
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4804

292879
12,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Статический коэффициент передачи тока...
Транзистор 2SB698F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB698F

260092
2,00 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -20 В Напряжение коллектор-база, не более: -25 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -0.7 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.6 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 160 до 320 Граничная частота коэффициента передачи...
Транзистор 2N1478
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N1478

303486
5,60 BYN
Материал: Ge Структура: pnp Максимальная рассеиваемая мощность (Pк): 250mW Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Uкб): 30V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uкэ): 20V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Uэб): 20V Макcимальный постоянный ток коллектора (Iк): 500mA Предельная температура PN-перехода (Tj): 100°C...
Транзистор 2SC5406
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5406

275481
13,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор IRGPC40MD2
Биполярные транзисторы

Транзистор IRGPC40MD2

311725
27,00 BYN
Предварительный технический паспорт PD - 9.1084 БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ IRGPC40MD2, Рассчитанный НА короткое замыкание СО СВЕРХБЫСТРЫМ МЯГКИМ ВОССТАНОВЛЕНИЕМ, Характеристики IGBT-ДИОДА C VCE = 600 В  Номинальное короткое замыкание -10 с при 125 ° C, V = 15 В GE Рейтинг потерь при переключении включает все "хвостовые" потери  Мягкие...
Транзистор IRGPC30U
Биполярные транзисторы

Транзистор IRGPC30U

311724
18,00 BYN
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ IRGPC30U Сверхбыстрый IGBT Имеет характеристики C � Коэффициент потерь при переключении включает все "хвостовые" потери VCES = 600 В � Оптимизирован для высокой рабочей частоты (более 5 кГц) См. Рис. 1 для сравнения тока Частотная кривая VCE(sat) ? 3,0 В G @VGE = 15 В, IC = 12A E n-канальное описание...
Транзистор 2SC1473
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1473

264736
0,72 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.07 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор 2SD1883
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1883

304487
9,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.