Транзистор 2SC5516

Транзистор 2SC5516

Артикул: 275493

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 70 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 3 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5

TO3P

11,36 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275493
Новый товар

Просмотренные товары

Монтажный провод НВ-4 0,2 мм2 ( коричневый ) 1 м
Провод монтажный в ПВХ изоляции (+105°С ) НВ-4 ,ПУГВ

Монтажный провод НВ-4 0,2 мм2 ( коричневый ) 1 м

290826
0,80 BYN
Сечение провода: 0,5 мм кв Номинальное переменное напряжение 600  В Частота до 5000 Гц Постоянное напряжении 840 В Провода устойчивы к вибрации и ударным нагрузкам; к воздействию бензина, минерального масла и плесневелых грибов. Диапазон рабочих температур: от -50°С до +105°С Провода не распространяют горение.

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SD772
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD772

312541
8,00 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 150 В Напряжение коллектор-база, не более: 150 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 14 Граничная частота коэффициента передачи тока: 40 МГц Корпус: TO-220
Транзистор 2SD1458
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1458

304312
4,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1500
Транзистор FGW75N60HD
Биполярные транзисторы

Транзистор FGW75N60HD

311643
47,60 BYN
Наименование: FGW75N60HD Маркировка: 75G60HD Тип управляющего канала: N-Channel Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 500 Предельно-допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (Ucesat): 1.5 Максимально допустимое напряжение эмиттер-затвор (Ueg): 20 Максимальный постоянный ток коллектора (Ic): 75...
Транзистор 2SC104M
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC104M

303459
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA952
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA952

303075
1,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC4581
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4581

275436
8,56 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA984 (F,K)
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA984 (F,K)

264656
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор PMBTA42
Биполярные транзисторы

Транзистор PMBTA42

275784
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.33 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор BSP62
Биполярные транзисторы

Транзистор BSP62

303808
0,40 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -80 В Напряжение коллектор-база, не более: -90 В Напряжение эмиттер-база, не более: -5 V Ток коллектора, не более: -1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 Граничная частота коэффициента передачи тока: 200 МГц Корпус: SOT-223
Транзистор 2SB941
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB941

292827
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 35 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.