Элементы для часов, калькуляторов,слуховых аппаратов Батарейка для слух.аппар. "Ray-O-Vac" EXTRA 10AU-6XEA 268661 2,40 BYN В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC2003 303528 1,20 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC5570 292898 18,52 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 220 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 28 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
ШВПМ (МЕДЬ) Транзистор 2SD73-Y 304630 4,40 BYN Тип материала: SiПолярность: NPNМаксимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 WМакcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 VМакcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 VМакcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 VМакcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 AПредельная температура PN-перехода (Tj): 150... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SA958 303076 2,20 BYN Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SA1560 292803 2,00 BYN Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 170... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC2752 303632 6,00 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 400 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC5030F 275450 9,60 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 60 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор PN918 275786 0,40 BYN Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.625 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SA1304 311540 8,00 BYN Наименование производителя: 2SA1304 Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC5707 264705 2,00 BYN NPN 100V, 8A, 1W, 330MHz (Comp. 2SA2040) В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор MJ802 TO3 302978 30,00 BYN Двухполюсный плоскостной транзистор В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SC3795A 275396 6,72 BYN Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 500 В Напряжение коллектор-база, не более: 900 В Напряжение эмиттер-база, не более: 8 V Ток коллектора, не более: 5 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 40 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 8 Граничная частота коэффициента передачи тока: 8 МГц TO220F В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор 2SB966 303268 30,20 BYN Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):... В корзину
Биполярные транзисторы Транзистор TIP35С 259982 11,20 BYN NPN 100V, 25A, 125W (Comp. TIP36C) В корзину