Транзистор BUH516TH

Транзистор BUH516TH

Артикул: 275266

ISOWATT218

Тип транзистора NPN
Напряжение коллектор база, открытый переход (Ucb), В 1500
Напряжение коллектор эмиттер, открытый переход (Uce), В 700
Напряжение эмиттер база, открытый переход (Ueb),В 5
Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А 8
Максимальная мощность (Pмакс), Вт 50
Коеффициент усиления по току (hfe) 5..10
16,60 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275266
Новый товар

Просмотренные товары

Диоды СВЧ КА534А
Диоды СВЧ

Диоды СВЧ КА534А

294844
20,00 BYN
Основные технические параметры СВЧ диода 2А534А:• Общая емкость диода: не более 0,65 пФ;• Дифференциальное сопротивление: не более 1,8 Ом;• Накопленный заряд диода: не более 1 нКл;• Емкость корпуса: 0,18...0,26 пФ;• Индуктивность диода: не более 3 нГн;• Постоянное обратное напряжение: не более 25 В;• Постоянный прямой ток: не более 150 мА;• Постоянная...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC2690A-Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2690A-Y

303625
4,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BC860 C/T1
Биполярные транзисторы

Транзистор BC860 C/T1

275128
0,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC1983
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1983

303524
3,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор BUT11AF orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BUT11AF orig

275271
7,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BC337-16
Биполярные транзисторы

Транзистор BC337-16

303663
0,12 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.8 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 250 Граничная частота коэффициента передачи тока: 100 МГц Корпус: TO-92
Транзистор 2SD1581
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1581

304329
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 350 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 800
Транзистор BCX51-16/T1
Биполярные транзисторы

Транзистор BCX51-16/T1

275134
0,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 45 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC4159
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4159

304010
7,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 160 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1402
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1402

304299
11,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5332
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5332

275471
14,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 14 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.