Транзистор D2125

Транзистор D2125

Артикул: 275647

Корпус TO-3PF
Вес 8 г
NPN 1500V, 6A, 50W, 3MHz

8,76 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275647
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2SA1145Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1145Y

302879
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
View
Транзистор STM6960 SO8
Полевые транзисторы

Транзистор STM6960 SO8

276718
13,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 60 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 5.5 A Общий заряд затвора (Qg): 55 nC Выходная емкость (Cd): 75 pf Сопротивление сток-исток открытого...
View
Транзистор 2SC5358
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5358

275476
7,84 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 230 В Напряжение коллектор-база, не более: 230 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 15 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 150 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 55 до 160 Граничная частота коэффициента передачи тока: 30 МГц 2-16C1A
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3858
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3858

303866
109,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 17 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 10
View
Транзистор 2SC5088
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5088

260169
12,10 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.08 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC5445
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5445

275486
18,36 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 20 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC458C
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC458C

304048
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SB1121
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1121

303126
8,60 BYN
Маркировка: BDR_BDS_BDT_BDU Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная...
View
Транзистор 2SD2539
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2539

304552
14,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Граничная частота коэффициента передачи...
View
Транзистор BUH516TH
Биполярные транзисторы

Транзистор BUH516TH

275266
16,60 BYN
ISOWATT218 Тип транзистора NPN Напряжение коллектор база, открытый переход (Ucb), В 1500 Напряжение коллектор эмиттер, открытый переход (Uce), В 700 Напряжение эмиттер база, открытый переход (Ueb),В 5 Максимально допустимый ток коллектора (Ic), А 8 Максимальная мощность (Pмакс), Вт 50 Коеффициент усиления по току (hfe) 5..10
View
Транзистор BU2520DF orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2520DF orig

275219
10,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA1376
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1376

302964
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 100 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60 Корпус...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.