Транзистор FGH50T65UPD

Транзистор FGH50T65UPD

Артикул: 311638

650 В, 50 А 

40,80 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
311638

Просмотренные товары

Микросхема AT89C52-24PI
Микросхемы импортные

Микросхема AT89C52-24PI

291658
14,00 BYN
8Кбайт программной flash пямяти (1000 циклов записи) 256 х 8 бит внутренней оперативной памяти (RAM) 32 программируемые линии ввода/вывода 3 16-битных таймера/счетчика 6 источников прерываний 2 уровня прерываний параллельный  интерфейс программирования программируемый последовательный порт (UART) рабочая частота 0..24МГц напряжение питания 5В±20%...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор BD250A
Биполярные транзисторы

Транзистор BD250A

275144
16,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 125 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 70 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 40 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SD1913 to220f
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1913 to220f

292931
7,92 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор ВС548
Биполярные транзисторы

Транзистор ВС548

259971
0,32 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 30 В Напряжение коллектор-база, не более: 30 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.5 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 110 до 800 Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-92
Транзистор 2SC2690A-Y
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2690A-Y

303625
4,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 20 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BU2506DX
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2506DX

312587
16,80 BYN
Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 700 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 47 pf Статический коэффициент...
Транзистор A1145
Биполярные транзисторы

Транзистор A1145

274974
1,04 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор BU2525AF orig
Биполярные транзисторы

Транзистор BU2525AF orig

275222
8,76 BYN
Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Ёмкость...
Транзистор 2SC3884A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3884A

303867
6,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC2750
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2750

303630
6,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 150 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BF970
Биполярные транзисторы

Транзистор BF970

275188
1,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.