Транзистор BU2515DX orig

Транзистор BU2515DX orig

Артикул: 275217

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 45 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 9 A

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 5

SOT399

7,20 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275217
Новый товар

Просмотренные товары

Микросхема 171УВ2 Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 171УВ2 Ni

299587
37,80 BYN
Микросхема 171УВ2 представляет собой видеоусилитель для блоков НГМД.Содержит 27 интегральных элементов.Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.Выпускаются в круглом металлостеклянном корпусе с вертикальным расположением выводов для монтажа в отверстия печатной платы.Маркируются цифро-буквенным кодом на корпусе...
View
Транзистор FQPF4N90C (4N90C)
Полевые транзисторы

Транзистор FQPF4N90C (4N90C)

264641
7,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 47 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 900 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 4 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Общий заряд...
View
Микросхема 564ЛC1В Ni
Микросхемы отечественные

Микросхема 564ЛC1В Ni

300343
2,20 BYN
Цифровая микросхема серии КМОП. представляет собой три логических элемента 3И-ИЛИ.Содержит 96 интегральных элемента.Корпус типа 401.14-5, масса не более 1 г.Технические условия: АЕЯР.431200.136-29 ТУ.Рабочая температура: -60...+125°С.Ток потребления: не более 0,12 мА.Напряжение питания: 4,2-13,5 В. Минимальный срок сохраняемости микросхем при их...
View
Микросхема 133ЛА15 Au
Микросхемы отечественные

Микросхема 133ЛА15 Au

299310
8,00 BYN
Микросхема интегральная полупроводниковая (транзисторно-транзисторная логика). Представляет собой элемент сопряжения МОП ЗУ – ТТЛ (четыре логических элемента «2И-НЕ»). Предназначена для использования в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Диапазон температур • диапазон рабочих температур от - 60 до + 125 °С Корпусное исполнение • корпус...
View
Транзистор FZT751T sot223
Биполярные транзисторы

Транзистор FZT751T sot223

293126
2,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC1182
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1182

292830
7,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200...
View
Транзистор 2SB1588
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1588

303188
21,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 150 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 55...
View
Транзистор 2SC1674
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1674

303499
1,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.02 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SB1516
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1516

303180
17,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 180 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 180 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
View
Транзистор 2SD863
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD863

304642
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.9 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 175...
View
Транзистор 2SC3255
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3255

303747
14,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200...
View
Транзистор 2SC1507
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1507

303490
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 12 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3150
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3150

260132
4,97 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 900 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC1755
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC1755

303503
8,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 300 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC945
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC945

264679
0,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.25 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC3415
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3415

275375
6,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 300 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25 TO92
View
Транзистор 2SC3688 to3p
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3688 to3p

292866
11,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 800 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2N4401 to-92
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N4401 to-92

264714
0,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.31 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.