Транзистор BFR91A

Транзистор BFR91A

Артикул: 275202

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 15 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.035 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6000 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1.2 pf

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40

Корпус транзистора: TO50

2,00 BYN

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275202
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор 2N3866A
Биполярные транзисторы

Транзистор 2N3866A

259993
17,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 55 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 200...
View
Провод МС 16-13 0.35 1 метр
МС

Провод МС 16-13 0.35 1 метр

289824
15,20 BYN
Минимальная  бухта от 10 метров +-   Бортовой монтажный провод из медных посеребренных жил во фторопластовой оболочке. ТУ 16.505.083-78   Некоторые технические параметры: Температура эксплуатации от -60 °С до + 200 °С Наружный диаметр: Класс гибкости жилы: 4 Вес одного метра:    Электрическое сопротивление изоляции проводов, пересчитанное на 1 м длины,...
View
Транзистор 2Т837В
Транзисторы отечественные

Транзистор 2Т837В

300784
3,20 BYN
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-диффузионные структуры p-n-p переключательные.Транзисторы 2Т837А, 2Т837Б, 2Т837В, 2Т837Г, 2Т837Д, 2Т837Е предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.Корпус пластмассовый с жесткими выводами.Масса транзистора не более 2,5 г.Тип корпуса: КТ-28-2.Технические условия: аА0.339.411 ТУ.
View

В этой категории 16 товаров:

Транзистор IRGPC30U
Биполярные транзисторы

Транзистор IRGPC30U

311724
18,00 BYN
БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ IRGPC30U Сверхбыстрый IGBT Имеет характеристики C � Коэффициент потерь при переключении включает все "хвостовые" потери VCES = 600 В � Оптимизирован для высокой рабочей частоты (более 5 кГц) См. Рис. 1 для сравнения тока Частотная кривая VCE(sat) ? 3,0 В G @VGE = 15 В, IC = 12A E n-канальное описание...
View
Транзистор 2SC9014
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC9014

260185
0,44 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.45 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 45 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SA1319
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1319

312442
1,68 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -160 В Напряжение коллектор-база, не более: -180 В Напряжение эмиттер-база, не более: -6 V Ток коллектора, не более: -0.7 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.7 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 100 до 400 Граничная частота коэффициента передачи тока: 120 МГц Корпус:...
View
Транзистор 2SA1428
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1428

302993
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
View
Транзистор 2SC5552
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5552

304150
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 65 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1700 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 16 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор 2SC2075
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC2075

303562
14,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 4 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 4 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz...
View
Транзистор 2SC4511
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4511

304044
8,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 30 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 20...
View
Транзистор 2SB1503
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1503

303179
86,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 7 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор BDW83C
Биполярные транзисторы

Транзистор BDW83C

275163
28,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 100 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Транзистор D1010
Биполярные транзисторы

Транзистор D1010

275570
1,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 60...
View
Транзистор 2SC3181
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3181

264751
5,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
View
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.