Транзистор BD679

Транзистор BD679

Артикул: 275156

NPN, 80V, 4A, 40W, 1MHz, 150*C

4,20 BYN

* Уважаемые покупатели!
Цены могут отличаться от указанных на сайте.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
275156
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор D2137
Биполярные транзисторы

Транзистор D2137

275648
3,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 15 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30 TO220F
Транзистор BUL49D
Биполярные транзисторы

Транзистор BUL49D

275268
14,64 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 850 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 450 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 9 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC5521
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5521

275522
6,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 40 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 13 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 44H11
Биполярные транзисторы

Транзистор 44H11

274949
3,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 90 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 90 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...

Покупатели этого товара так же приобрели:

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SC3779
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3779

303789
1,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 12 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3788E
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3788E

303791
2,20 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 200 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SC3263
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3263

292834
18,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 130 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 230 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 230 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 15 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор ZTX614
Биполярные транзисторы

Транзистор ZTX614

275836
3,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BC107B
Биполярные транзисторы

Транзистор BC107B

312584
1,68 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 45 В Напряжение коллектор-база, не более: 50 В Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V Ток коллектора, не более: 0.1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.3 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 200 до 450 Граничная частота коэффициента передачи тока: 150 МГц Корпус: TO-18
Транзистор 2SD1864
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD1864

304483
10,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 40
Транзистор BSP52T1G
Биполярные транзисторы

Транзистор BSP52T1G

303807
0,40 BYN
Структура - n-p-n Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 80 В Напряжение коллектор-база, не более: 90 В Напряжение эмиттер-база, не более: 5 V Ток коллектора, не более: 1 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 1.25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 1000 Корпус: SOT-223
Транзистор 2SD882 to126
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD882 to126

292942
1,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SC5589
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC5589

292900
14,40 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 200 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 750 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 18 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...

Покупатели этого товара так же приобрели:

Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.