Транзистор BFR520T

Транзистор BFR520T

Артикул: 271042

NPN 20V, 70mA, 9GHz_NPN wideband transistor_РЧ транзистор

2,00 BYN
под заказ 5-7 дней

Уважаемые покупатели!

* Цены могут отличаться от указанных на сайте.
** Изображения товара на сайте носят справочный характер и могут отличаться от реального вида детали.
Наличие товара и актуальную цену вы можете уточнить у наших менеджеров по номеру телефона +375 (33) 385-00-22
 
271042
Новый товар

Просмотренные товары

Транзистор AOD4286 dpak (to252)
Полевые транзисторы

Транзистор AOD4286 dpak (to252)

293026
6,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.9 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 14 A Максимальная температура канала (Tj): 175 °C Время...
Диоды СВЧ 3А614А
Диоды СВЧ

Диоды СВЧ 3А614А

294699
8,32 BYN
Технические характеристики умножительных СВЧ диодов3А614А, АА614А: Наименованиеумножительного СВЧ диодаЗначения электрических параметров СВЧ диодовПредельные эксплуатационные характеристикиT ОКРf ПРЕДU ПРОБI ОБРr ДИФC ДC КОРL ДR ТU ОБРP РАСI ПРΔUT ПГГцВмкАОмпФпФнГн°C/ВтВВтмАВ°C°C3А614А >320 - <10 - 0,4…0,7 0,18…0,26 <0,7 - 20 0,4 5 100 - -60…+85...

В этой категории 16 товаров:

Транзистор 2SA1296Y TO92
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1296Y TO92

302957
2,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.75 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SA1941 TO3P
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1941 TO3P

265793
18,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 100 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 140 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 140 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор 2SB123 TO92
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB123 TO92

275066
0,52 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.36 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.17 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C...
Транзистор 2SC4744 TO3PF
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC4744 TO3PF

304062
10,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 50 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1500 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25 Корпус...
Транзистор 2SD2066
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SD2066

304515
24,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 120 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 160 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 12 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Статический коэффициент передачи тока (hfe): 30
Транзистор 2SA1264n pnp 120V 8A 80W 30MHz 450pF
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1264n pnp 120V 8A 80W 30MHz 450pF

302911
10,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 80 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 8 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор A1207
Биполярные транзисторы

Транзистор A1207

274976
1,04 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SB1015 TO220F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SB1015 TO220F

275051
11,52 BYN
Структура - p-n-p Напряжение коллектор-эмиттер, не более: -60 В Напряжение коллектор-база, не более: -60 В Напряжение эмиттер-база, не более: -7 V Ток коллектора, не более: -3 А Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 25 Вт Коэффициент усиления транзистора по току (hfe): от 60 до 200 Граничная частота коэффициента передачи тока: 9 МГц
Транзистор 2SC3420 Y TO126F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SC3420 Y TO126F

264760
5,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 10 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор 2SA1538 C TO126F
Биполярные транзисторы

Транзистор 2SA1538 C TO126F

303010
4,52 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.