Биполярные транзисторы

Транзистор BF869S
Биполярные транзисторы

Транзистор BF869S

293077
2,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 250 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 250 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BF960
Биполярные транзисторы

Транзистор BF960

275184
1,36 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.2 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.02 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 0.8 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор BF964
Биполярные транзисторы

Транзистор BF964

275186
2,16 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.03 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 3 pf Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 200 Ohm TO50
Транзистор BF966
Биполярные транзисторы

Транзистор BF966

275187
14,00 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8.5 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.03 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 2.6 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор BF970
Биполярные транзисторы

Транзистор BF970

275188
1,96 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.18 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 35 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BF979
Биполярные транзисторы

Транзистор BF979

275189
0,56 BYN
Тип материала: Si Полярность: PNP Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.14 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.03 A Предельная температура PN-перехода (Tj):...
Транзистор BF980
Биполярные транзисторы

Транзистор BF980

275190
6,40 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 18 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.03 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 3 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор BF982
Биполярные транзисторы

Транзистор BF982

275191
1,96 BYN
Тип транзистора: MOSFET Полярность: N Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 0.225 W Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 20 V Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 8 V Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 0.04 A Максимальная температура канала (Tj): 150 °C Выходная емкость (Cd): 4 pf Сопротивление сток-исток...
Транзистор BFG540W/X ( N7 )
Биполярные транзисторы

Транзистор BFG540W/X ( N7 )

275195
0,60 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.5 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 2.5 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.12 A Предельная температура PN-перехода...
Транзистор BFG591
Биполярные транзисторы

Транзистор BFG591

275197
4,00 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 15 V Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 3 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.2 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150...
Транзистор BFG67 ( V3W )
Биполярные транзисторы

Транзистор BFG67 ( V3W )

275198
0,80 BYN
Тип материала: Si Полярность: NPN Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 10 V Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C Граничная частота коэффициента передачи тока (ft):...
Показано 1897-1920 из 2628
Товар добавлен в избранное

На сайте radio-market.by используются COOKIE.
Продолжая использовать сайт Вы соглашаетесь с этим.